纳米技术在中药开发中的应用

本文综述了纳米科技与中药制剂相结合的发展，阐述了纳米中药的概念、特性，介绍了纳米中药的制备技术，另外探讨了收集纳米粒子的方法，最后，着重展望了纳米技术在中药制剂中广泛的应用前景。     

TiB2与BN复相陶瓷的渗流模型

试验结果证实,TiB₂与BN复相陶瓷的导电性能符合渗流理论,原料粉粒度配比下,其渗流阀值为V_c%=22.9%;原料粉粒度比的改变将改变渗流阀值,从而改变各配比下的电阻率值;TiB₂与BN在SPS系统中快速烧结,晶粒的尺度比与原料粉的粒度比基本保持一致。     

ZrB2陶瓷的制备和烧结

采用自蔓延高温合成(Self-propagating high-temperature synthesis,SHS)技术和热压烧结(Hot pressing,HP)方法分别研究了Zr-B2O3-Mg和ZrO2-B4C-C体系反应原料的粒度和配比以及烧结温度对产物的影响规律,并烧结得到ZrB2陶瓷.采用X射线衍射和化学分析方法分析了材料的相组成,利用SEM和TEM观察了显微结构;并用阿基米德排水法测定了相对密度.结果表明:在Zr-B2O3-Mg体系中,50μm Zr粉和Mg过量15%(摩尔分数)的体系是最理想的SHS反应体系;SHS产物粒径、酸洗产物粒径和烧结体粒径分别为2～5μm、0.5～2.0 μm和2～10μm;酸洗产物组成为94.59%ZrB2、3.87%ZrO2和1.54%H3BO3(质量分数);烧结体为单相ZrB2陶瓷,相对密度为95.4%.在ZrO2-B4C-C体系中,B4C过量15%和C过量10%(摩尔分数)的体系是最理想的反应体系;烧结体相对密度为94%;烧结体组成为95.44%ZrB2、3.87%ZrO2、0.32?C和0.37%C(质量分数).     

TiB2的SHS合成过程理论分析

在ＴｉＢ２陶瓷材料的自蔓延高温合成（简称ＳＨＳ）过程中，通过改变原料的起始温度，稀释剂的含量和原始颗粒的尺寸等都可以调节合成过程的绝热温度，产物中熔融相的含量，以及燃烧波蔓延的速度，人而最终影响合成产物的结构和性质。本文对上述各种关系进行了理论计算和分析，其结果对实际合成与制备过程将有着重要的指导作用。     

自蔓延高温合成法制备金属—陶瓷复合材料

本文就自蔓延高温合成技术（ＳＨＳ）在制备金属－陶瓷复合材料方面的进展进行了回顾，对ＳＨＳ技术用于制备金属－陶瓷块体复合材料，梯度功能材料（ＦａＭ），金属－陶瓷复合管，金属－陶瓷的焊接工艺原理以及金属材料的陶瓷涂层进行了探讨。     

气流喷射磨超微粉碎ZrO2及助磨剂作用效果的研究

在气流喷射磨内重复粉磨ZrO2，对这种新型粉磨设备制备ZrO2微细粉的工作过程进行了研究。同时，粉磨过程中加入三乙醇胺助磨剂，在有助磨剂和无助磨的条件下进行了比较试验。结果表明，三乙醇胺对多次粉磨有助磨效果，可获得表面积更大、粒度分布更均匀的颗粒。     

半透明氮化硅陶瓷的放电等离子烧结制备及性能

用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术,以质量分数(下同)为9%氮化铝(A1N),3%氧化镁(MgO)为烧结助剂,在1850℃烧结5min,成功制备了半透明氮化硅(Si3N4)陶瓷.半透明Si3N4陶瓷在中红外波段表现出良好的透过率,最大透过率为66.4%.SPS的快速致密化过程保证了烧结体具有良好的晶体结构,有利于提高透过率.SPS快速的烧结过程和A1N和MgO的加入能够有效抑制烧结过程中Si3N4陶瓷由α相向β相的转变,是制备光学性能良好的Si3N4陶瓷的关键.报道了半透明Si3N4陶瓷的其他性能.光学性能与其他性能的结合,势必大大拓宽Si3N4陶瓷的应用领域.     

CaF2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能

采用放电等离子烧结技术,添加质量分数为3%的CaF2作为烧结助剂,制备了透明氮化铝(AlN)陶瓷.样品在烧结温度1 800℃,30 MPa压力下保温15 min,达到了99.5%的相对密度和52.7%的最大透过率.SEM、XRD、TEM和EDX结果表明,烧结体具有很高的致密度、纯度,良好的晶粒形貌和微观晶体结构,晶界和三角晶界处观察不到第二相的存在.CaF2的添加引入液相烧结,促进AlN晶粒的生长和烧结体的致密化,并且与AlN颗粒反应生成的氟化物和Ca-Al-O化合物能够从烧结体中逸出,进一步净化烧结体,是制备透明AlN陶瓷的有效助剂.放电等离子烧结技术具有烧结快速、烧结体致密度高的特点,是制备透明AlN陶瓷的有效方法.