CFRC应力传感器中碳纤维均匀分散对导电性能的影响

讨论了碳纤维－水泥基复合材料（ＣＦＲＣ）应力传感器碳纤维类型，长径比，均匀分解程度对导电性能的影响。     

基于虚拟仪器技术的飞机驾驶杆检测系统的设计与实现

飞机驾驶杆用于传递飞行员操纵指令,传统测试方法难以检测到按钮开关输出不稳定的故障.为保障战机飞行安全,提高驾驶杆修理质量,提出一种基于虚拟仪器技术的自动检测方法,研制以工业控制计算机为资源核心且可对驾驶杆进行自动电学和力学测试的装置.在对系统功能进行概述的基础上,给出该系统架构框图,完成基于直线电机的夹持/施力装置、高压矩阵模块等关键性设计,提升了系统测试速度和精度,降低了研制成本;并基于虚拟仪器技术,开发了一套自动测试软件,给出软件测试流程框图,并开展相关功能验证.测试结果表明方法有效,且提升了驾驶杆的故障检出率.     

减速器人字齿轮齿啮合变形量分析

随着齿轮传动系统的快速发展,单纯的静力学设计已经无法适应现代高精度装备发展的需求,需要综合考虑齿面摩擦、齿轮侧隙、齿轮加工误差、装配误差等因素,并进行动力学模型分析,本文将依据石川公式对减速器人字齿轮进行动态参数分析,按照材料力学法介绍齿轮副时变啮合变形量的意义及计算方法,并与通用标准推荐值进行比对,确保计算的正确性。     

基于环签名思想的前向安全匿名签名方案

基于模合数平方根和因子分解问题的难解性,利用环签名的思想提出一种前向安全可撤消匿名签名方案。该方案使管理员必须和签名接收方合作才能追踪签名者的身份;签名者可以灵活地、主动地选择匿名范围;即使攻击者非法获取了用户当前签名密钥,也无法伪造之前的签名。     

单漂移聚束器的非标准聚束模式

单漂移聚束器标准聚束模式要求粒子注入能量和聚束器漂移管的几何尺寸之间必须满足严格的条件,严重地限制了可聚束粒子的种类。文章论述了采用非标准聚束模式的方法,计算不同粒子在HI-13串列加速器上实现脉冲聚束的可行性。     

普鲁士蓝对Rb＋、Cs＋的吸附性能研究

摘要： 用K4Fe（CN）6·3H2O和FeCl3·6H2O制备纯普鲁士蓝（PB）和负载量为55％普鲁士蓝/二氧化硅（PB/SiO2）,考察了不同因素条件下（吸附时间、起始离子含量、c（H＋）浓度、干扰阳离子K＋和NH4＋）,纯PB对Rb＋、Cs＋混合模拟液的静态吸附情况.结果表明：随着吸附时间的增加,Kd（Rb＋）和Kd（Cs＋）增大,随着起始离子含量、c（H＋）浓度、干扰阳离子K＋和NH4＋浓度的增大,Kd（Rb＋）和Kd（Cs＋）整体来说稍有下降,但变化不大.由于纯PB在水中易分散,不利于柱操作,故选取负载量为55％ PB/SiO2进行柱实验,结果表明此柱对Rb＋、Cs＋显示出好的离子交换性能.     

频谱资源利用的评价指标体系

频谱资源具有有限性、非消耗性、无边界性和易污染性,是一种不具备有形实体的资源。频谱资源的用途多样,涉及国防、公共服务等领域,这些特点使得对频谱资源的利用评价不同于土地和水资源等有形资源,不仅要考虑资源本身特点,同时必须结合技术与经济、现实与发展,从多个角度客观、可量化地评价频谱资源的利用情况。参考国内外研究成果,总结建立频谱资源利用指标体系的原则有四项:覆盖性、特征性、可比性、导向性。指标体     

课题简介

工信部为贯彻落实党的十八届三中全会关于全面深化改革的战略部署,围绕2014年全国工业和信息化工作会议总体要求,在2014年年初以通信软科学研究形式,从重大产业决策、行业转型发展、新兴技术走向、监管体系完善四个方面公开征集研究课题。宁波市无线电管理局与北京邮电大学从研究产业重大发展问题和行业监管热点问题出发,提出"现代市场体系下频谱资源利用的评价指标研究"课题,期望从频谱资源市     

功率MOSFET寿命模型综述

MOSFET是实现电力电子装置功能的核心器件,但其寿命短是制约电力电子系统可靠性的关键因素。由老化造成的MOSFET失效分为封装失效和参数漂移失效,前者由MOSFET制造工艺及材料导致的缺陷在工作环境中恶化而产生,后者为器件在使用过程中其内部微观退化机制在宏观参数的体现。对目前已有的MOSFET寿命相关的研究成果进行总结,分析了MOSFET的各类失效模式,并建立了各类失效模式下MOSFET寿命模型;并进一步总结了各类失效模式下寿命模型的失效判据及其各类寿命预测模型实验验证方法。     

MgB2/Mo多层膜的制备与超导性质的研究

本文采用磁控溅射技术(MS)和混合物理化学气相沉积法(HPCVD)在单晶Al₂O₃基底上制备MgB₂/Mo多层膜。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对样品的表面形貌、晶体结构和超导特性进行了测量研究。实验结果表明随着后续MgB₂沉积温度的增加各膜层结晶程度进一步提高,晶粒尺寸不断增大,各自保持着良好的物质稳定性。在730℃温度下生长的MgB₂薄膜的超导转变温度T_con和零电阻温度T_c0分别为39.73K~39.53K,剩余电阻率~0.77μΩcm,表明样品处于干净极限。