4nm超薄栅nMOSFET中漏电压对栅控产生电流影响研究

研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响，随着VD的增加，IGD曲线上升沿不变，而下降沿向右漂移，这归因于VD增大引发了闽值电压增大所致。研究发现IGD下降沿最大跨导GMW随着VD的变化成幂指数关系：GMW=VDn，n=0．08。进一步发现电流上升沿与下降沿最大跨导所对应的栅电压VG差与VD成线性关系，斜率为1．19。文中给出了相关的物理机制。     

ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究

利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试.针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺.用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm(电流密度为1μA/cm2),在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀.说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值.     

新型材料器件实践教学课程改革与探索

为满足强化微电子专业实践教学、推动创新型人才培养的发展需求,特在本科培养方案中设立了《新型材料器件》实践教学课程。通过对课程具体教学内容如器件的模拟仿真、设计、制备和参数测试等的开发设置以及相应的考核体系的完善,可充分调动学生学习的积极性和创新精神,系统地把微电子专业四年所学的课程综合地融合到实践教学中。同时,为充分利用微电子学实验室现有的硬件环境和优势资源、促进师资队伍建设和健全实践教学体系等奠定基础。本课程的改革与探索,将为我校微电子专业本科生实践教学的具体落实和发展做出积极的贡献。     

纳米ZnO的可控生长及光致发光性能

为研究准一维纳米氧化锌的生长机理和光致发光性能,以预先氧化处理的锌粉为原料,采用化学气相法,在高温程控管式炉中通过调节温度、调控N2/O2混合气的比例和气体的压强等因素来控制纳米ZnO的形貌和光致发光特性。扫描电子显微镜(SEM)测试显示:合成的ZnO纳米线结构受温度,氧气分压影响较大;XRD衍射图谱显示:该纳米ZnO为六方纤锌矿结构,温度在900℃时最适合晶体纳米结构的生成,随着氧气流量的减少,c轴优势生长愈加明显;光致发光测试显示:其发光特性随着生长过程中温度的升高,氧相对含量的减少,蓝紫光发射减弱、蓝绿光发射明显增强,这种红移现象有力支持了氧空位和锌填隙是引起蓝绿光发射增强的主要原因。     

纳米抗紫外线织物整理的研究

主要探索了纳米颗粒在纺织后整理中分散难的问题 ,筛选出较佳的纳米分散剂、乳化剂 ,采用合理的分散整理流程 ,使纳米颗粒分散成双电层的乳状液。通过对纯棉机织物进行整理实验 ,证明可达到较佳的抗紫外线效果     

双层掺混结构CNT薄膜的制备及场发射性能

针对单层掺混结构改善丝网印刷碳纳米管(CNT)薄膜场发射性能的局限性,提出了一种能有效改善CNT薄膜场发射性能的双层掺混结构。相比传统单层掺混结构的CNT阴极薄膜,双层掺混薄膜中上层TiO2介质掺混结构能有效提高CNT的增强因子,下层导电纳米钛粉掺混结构能降低CNT与衬底电极间的接触电阻、提高CNT导电网络的电子传输能力。场发射I-V特性测试表明,当CNT和钛的掺混质量比为1∶1且氮气中预烧温度为450℃时,双层掺混结构CNT薄膜的开启场强为1.53V/μm,电流密度在场强为2.0V/μm时达79.5μA/cm2。该方法为改善丝网印刷CNT薄膜的场发射性能提供了一种可行方案。     

电介质TiO2粉体增强印刷碳纳米管薄膜的场发射性能

提出了一种可显著改善丝网印刷碳纳米管（CNTs）薄膜场发射特性的浆料制备方法。该方法以乙基纤维素为制浆剂,松油醇为溶剂,通过超声波把CNTs和TiO2粉体均匀地分散成CNTs/TiO2复合浆料,扫描电镜表明,丝网印刷的CNTs/TiO2薄膜在高温下烧结后形成连续的膜体,CNTs被球状的TiO2颗粒均匀隔离;场发射特性测试表明,与单纯的CNTs薄膜相比,CNTs/TiO2薄膜的开启电场降低了0.2V/μm,在电场强度为4.0V/μm时电流密度增加了26.5μA/cm2,结果说明,该方法对于提高CNTs的场发射特性有明显的作用,在CNTs发射显示器的制作中有很好的实际应用价值。     

用于 CZT 探测器前端的数字自校准 SAR-ADC 设计

为了满足碲锌镉(CZT)探测器前端读出系统对模数转换器(ADC)的特殊需求,设计实现了一款 12 bit 1. 6 MS / s 的前台 数字自校准逐次逼近型(SAR)ADC。 采用先校准后正常输出的工作方式以提高数据转换的实时性,校准模式下,SAR-ADC 核 心部分对差分斜坡输入电压注入低幅值扰动,再利用最小均方(LMS)自适应算法在数字域对亚二进制电容权重进行校准并固 定;正常工作模式下,按照已经校准的权重值正常输出数字码。 搭建数模混合仿真平台进行仿真验证,结果表明,当时钟信号频 率为 20 MHz,输入信号频率为 239. 1 kHz 时,校准后与校准前相比,SAR-ADC 的信噪失真比( signal-to-noise and distortion ratio, SNDR)由 45. 59 dB 提升到了 72. 35 dB,有效位数(effective number of bit, ENOB)由 7. 28 bit 提升到了 11. 73 bit,SAR-ADC 性能 明显提升,前端读出电路与 SAR-ADC 的联合线性度 δ 为-0. 29% ~ 0. 34%,能够满足 CZT 探测器前端读出系统的使用需求。     

碳纳米管气敏传感器的制备与性能研究

本文采用传统的光刻工艺、丝网印刷技术和烧结工艺在ITO透明导电薄膜上制备出电容式的碳纳米管(CNT)膜气敏传感器,探讨扫描电压、工作频率和各种工艺参数对其性能的影响.光学显微镜测试表明,丝网印刷的CNT膜表面平整、分布均匀.扫描电镜表征显示,在大气中300℃烧结能促使有机粘合剂充分地分解和蒸发,在CNT膜中留下能有效提...