天然高分子吸附剂吸附水中的 Cu2+和Ni2+

为了更有效地去除水中的Cu2+和Ni2+,采用壳聚糖、泥炭和海藻3种吸附剂对Cu2+和Ni2+进行吸附性能研究。考察了溶液pH、吸附时间、吸附剂的质量浓度和金属离子的质量浓度对Cu2+和Ni2+吸附率的影响。结果表明,采用壳聚糖作为吸附剂,pH为6,吸附剂的质量浓度为3 g/L,吸附时间120 min的条件下,对Cu2+的吸附效果最好,吸附率可达98%。采用泥炭为吸附剂在pH为6,吸附剂的质量浓度为1 g/L,吸附时间为120 min时,对Ni2+的吸附效果最好,吸附率达80%。     

InN超导中的磁通钉扎性质研究

InN是三五族半导体中唯一具有超导性质的材料,在超导体/半导体混合器件领域具有重要的应用价值。运用磁输运的方法,系统性地研究了磁通钉扎对InN超导性质的影响。通过对超导转变过程中的Ⅰ-Ⅴ曲线进行标度,发现InN超导中存在涡旋液体态到涡旋玻璃态的相变。在涡旋液体态,用热激活磁通蠕动模型分析了磁通运动的机制,发现InN超导中存在单磁通钉扎到集体钉扎的转变;在涡旋玻璃态,首先对临界电流与温度的关系进行了分析,确定了InN超导中主要的磁通钉扎机制:δL钉扎。然后对临界电流与磁场的关系进行了分析,发现临界电流在磁场下的迅速衰减是集体钉扎所导致的结果。最后,基于Dew-Hughes模型,对钉扎力与磁场强度的依赖关系进行了分析,发现InN中的钉扎中心的主要是点钉扎。该研究为提高InN的临界电流密度奠定基础。     

脉冲激光沉积法制备的单层MoS2薄膜变温光响应研究

报导了在c-Al₂O₃衬底上用脉冲激光沉积法制备MoS₂薄膜,并测试了其不同温度下的光响应。通过拉曼散射光谱和X射线衍射光谱证明了所制备的二硫化钼为纯2H相。通过X光电子能谱证明了所制备的二硫化钼硫钼原子比为1.92：1,在Mo元素的3d核心能级谱中存在红移和蓝移,说明薄膜中存在氧化和硫缺陷。此外,通过拉曼和光致发光分布图,证明了薄膜具有良好的均一性。在不同层数的二硫化钼样品中,单层二硫化钼样品具有最强的光响应,达到3 mAW^-1。单层二硫化钼的变温光响应实验表明,在室温附近,温度升高会提高二硫化钼的光响应强度和响应时间。