用于高压功率集成电路的高速电平位移电路设计

介绍了一种用于高压功率集成电路的高速电平位移电路，采用窄脉冲产生电路结构，提取低压控制信号的边沿信息，将其分解为2路窄脉冲信号分别驱动高压LDMOS,实现高低压侧电路区域之间信号的快速可靠传输，大幅降低了整个电平位移电路延时和运行功耗。该电路基于0.18μm 80 V BCD工艺进行仿真设计，由仿真结果可知，实现了由输入0～5V至80～85V的电平转换功能，能够满足用于GaN栅驱动芯片的高速要求。