化学氧化法制备聚吡咯及其掺杂改性研究

采用化学氧化法制备聚吡咯(PPy),研究了氧化剂种类[FeCl₃和(NH₄)₂S₂O₈]、反应温度(冰浴和室温)以及反应时间(6 h和12 h)对合成导电聚吡咯的影响,并对反应条件进行了优化。重点考察了不同浓度表面活性剂SDS掺杂对吡咯单体聚合的结构及形貌的影响,利用SEM、FT-IR、XRD、XPS、TGA、N₂吸附-脱附等表征方法及电导率测试对产物进行分析。结果表明,合成导电聚吡咯的最佳工艺条件为：以FeCl₃作氧化剂,在冰浴条件下反应6 h,产物电导率可达到0.076 9 S/cm;适量掺杂剂SDS的添加改变了样品的微观形貌,有利于提高PPy的热稳定性及导电性。     

关于分布式热水供暖系统选泵和调控问题的探讨

根据质量平衡和能量平衡的原理,分别探讨了设计工况、等流量比工况、非等流量比工况下单热源分布式热水供暖系统的选泵和调控,提出了按泵阻抗选泵的方法,绘制了选泵线算图,给出了相应的调控式。     

10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究

针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在第三象限工作时,低的电子势垒使LBD以更低的源漏电压开启,有效避免了体二极管开通所导致的双极退化效应。二维数值分析结果表明,SiC LBD-MOSFET的击穿电压达13.5 kV,第三象限开启电压仅为1.3 V,相比传统结构降低48%,可有效降低器件第三象限导通损耗。同时,由于LBD-MOSFET具有较小的栅漏交叠面积,其栅漏电容仅为1.0 pF/cm2,器件的高频优值为194 mΩ·pF,性能相比传统结构分别提升了81%和76%。因此,LBD-MOSFET适用于高频高可靠性电力电子系统。     

棉花检验工作若干问题的探讨

GB1103－1999》棉花（细绒棉）》（以下简称新棉花国家标准）的颁发，对规范棉检技术行为，杜绝异性纤维，提高棉花品质一致性，促进棉纺织工业发展，实现与国际棉花标准接轨，提高国产棉及棉纺织品竞争力等发挥了积极的作用。但是，从一年来的实践情况看，新棉花国家标准也存在一些需要进一步完善的问题。另外，随着新棉花国家标准的实行和棉花流通体制改革的不断深化，棉花技术监督工作的部分规定也需尽快调整。