高亮度小芯径半导体激光器光纤耦合设计

为了获得高亮度的半导体激光器,采取6只单管半导体激光器芯片进行等光程排列,波长为940nm,芯片腔长3.5mm,发光区尺寸1μm×30μm,快轴发散角30°,慢轴发散角10°,功率为6W。设计光学系统,使合束光束BPP_(laser)BPP_(fiber),满足与小芯径50/125μm多模光纤进行高亮度、高效率耦合的要求。光纤输出亮度达到44.3MW/(cm~2·sr)。     

GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用

利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行 了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF 功率进行了优化。光致发光(PL)测试结果表明,经过S-N混合等离子体钝化的GaAs样品PL 强度提高135%。将本文 钝化方法应用到980nm波长InGaAs应变量子阱(QW)激光器的制备工艺 ,器件的COD阈值功率明显增加。