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1.
测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中总的、电中性的EL2及净受主浓度分布和碳分布。结果表明,总EL2浓度径向分布呈W形而不是均匀的,净受主浓度径向分布呈∧形或∩形而不是M形。电中性EL2的W形径向分布由总EL2浓度的W形径向分布决定,而不是由于净受主的不均匀分布。有些样品中净受主浓度远大于碳浓度.意味着这些样品中除碳外还存在高浓度的其它受主。 相似文献
2.
脑机接口技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
杨瑞霞 《山东轻工业学院学报》2009,23(2)
脑机接口(Brain-Computer Interface,BCI)是在人脑和外界之间建立不依赖于常规大脑信息输出通路(外周神经和肌肉组织)的一种通讯系统.该文概述了基于脑电信号(EEG)的BCI技术的基本原理、研究方法、类型、研究现状,并分析了目前存在的问题与应用前景. 相似文献
3.
对未掺杂LECSI-GaAs进行了“三步热处理”。用霍尔测量、光激电流谱测量和化学腐蚀方法研究了这种热处理对电阻率、迁移率、电活性缺陷、位错密度及As沉淀的影响。 相似文献
4.
5.
利用微机械可变电容作为频率调节元件,制备了一种中心频率为2GHz的 LC VCO.微机械可变电容的控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMS VCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107.5dBc/Hz,输出功率为-13.67dBm.对微机械可变电容引起的机械热噪声以及减小空气压膜阻尼来降低相位噪声的方法进行了讨论,提出了一种优化阻尼孔数目的方法. 相似文献
6.
提取点云特征点的方法,大多集中在如何从扫描获取的点云数据中直接提取特征点,提取特征点的准确性受限于扫描精度.本文提出了一种精确提取点云数据特征点的方法:根据离散三维点云数据拟合曲面,精确求解拟合曲面的特征点.首先根据最小二乘法求解空间一点邻域内的曲面模型,然后计算曲面极值点作为特征点.这种方法不需要逐点判断曲率,提高了效率,同时采用最小二乘法拟合曲面,提高了精度.本文提出的方法对逆向工程中测量数据的曲面分割和多视角拼接也有借鉴意义. 相似文献
7.
基于NAND Flash的FAT文件系统的实现 总被引:2,自引:0,他引:2
杨瑞霞 《山东轻工业学院学报》2007,21(3):27-30,56
因为NAND Flash的容量很大,性价比高,NAND Flash在单片机系统中的应用已经很普遍。NAND Flash可以存储很多数据,为了方便数据的管理,可以采用FAT文件系统对数据进行管理。本文深入讨论了如何在NAND Flash中建立FAT文件系统。 相似文献
8.
通过离子注入在半绝缘GaAs衬底中掺引入Mn杂质,进行不同温度的退火后,在样品中形成了磁性MnAs粒子.利用原子力显微镜和磁力显微镜对样品的表面进行分析,发现退火条件会影响样品磁性粒子的分布.运用二次离子质谱仪测量了样品中Mn的深度分布,发现退火温度对样品中Mn的分布有很大影响. 相似文献
9.
10.