中低能电子被分子散射总截面的计算

用光学势描述电子与构成分子的各原子的相互作用，根据可加性规则（ａｄｄｉｔｉｖｉｔｙｒｕｌｅ），对入射能量为１０～９００ｅＶ的电子被多原子分子Ｃ２Ｈ２散射的总截面（即弹性＋非弹性截面）进行了计算，并将结果与实验及其它理论计算结果进行了比较。     

光泵浦太赫兹探测对于不同掺杂硅的光激发动力学表征

提出了一种光泵浦太赫兹探测技术的改进方案,使用双色飞秒激光场电离空气诱导等离子体辐射的超短宽带太赫兹脉冲作为探测脉冲,表征了硅的光激发动力学,通过表征过程验证了基于所提改进方案的光泵浦太赫兹探测系统的性能。硅的泵浦深度随泵浦功率的增加而提高,400 nm泵浦光的泵浦深度大于800 nm泵浦光。使用400 nm泵浦光,p掺杂硅的泵浦深度最大,本征硅次之,n掺杂硅最小;而使用800 nm泵浦光,p掺杂硅的泵浦深度最大,n掺杂硅次之,本征硅最小。此外,基于探测脉冲的超宽带宽和超短脉宽,还观测到了p掺杂硅中的亚皮秒激发态声子波包振荡。