偏振影象全息干涉法倍增应力条纹

提出了一种倍增应力条纹的实用方法。此法的根据是偏振影象全息干涉的原理。利用此法可以获得高级次的有限宽绝对程差条纹,从而提高了确定条纹级数的精度。     

直接显示应力场的几何云纹法

本文提供了一种直接显示集中受力半无限平板和对径受压圆盘应力场的几何云纹法。实验表明,用两个完全相同的辐射格栅和两个Wulff格栅重叠错位后就能形成集中受力半无限平板和对径受压圆盘的等差线和等倾线。     

用土电爐代替高频电爐对鍺之提纯

(一) 緒言: 制造晶体管的半导体材料要求純度极高,有时要求杂質浓度低至(10q/1),即十亿个原子中只允許一个杂質原子存在,否則将大大影响半导体材料的电学性質。故制取高純度半导体材料在半导体的研究及应用中是一項異常重要之工作。但制取如此高純度之半导体已非化学方法所能办到,必須采用物理提純法;其中对半导体锗最为有效之方法称为区域熔化法。所謂区域熔化法乃在一条锗錠之一端熔化一个小的区域用某种方法使此熔区慢慢地     

物光为消偏的偏振全息光弹性

绝对程差条纹可以用园偏振光作物光的偏振全息术进行分离。但是,在再现虚像的光强表达式中存在的等差项只能用转动全息图与观察者之间的偏振镜才能消除。本文提出另一种用消偏振的光作物光的偏振全息术,由此导出的光强表达式中,等差项完全被消去了。若分别用两个参考光照射用此法拍摄的一张两次曝光的全息图,也能分离两个绝对程差条纹族。     

简式乔赫劳斯基单晶炉

绪言由于晶体三极管的发明,对于高质量的半导体材料的要求越显得需要。但多晶的半导体材料不能满足这种要求,而必须制备结构完正,纯度甚高,并具有可控制电阻率的单晶材料。此外在固体物理的研究中;在冶金学关于金属性质的探讨中以及原子能的研究中;都需要超纯的,完正的单晶材料。因此单晶材料制备的研究和技术,不但在半导体材料工艺学中非常重要;而且在其他的科学和工程技术中也越来越感到需要。制备单晶的方法很多,但对半导体材料来说最常用的是乔赫劳新基(Czochralski)的拉制单晶法。虽然近年来区域致均法已广泛地用于半导体锗和其他Ⅲ—Ⅴ族化合物等材料的制备,但对硅来说这种能使固液界面不与坩埚器壁相接触的拉制法,不     

一种演示应力条纹的云纹法——乌利夫(Wulff)网格的新用途

在实验中发现,用两张透明的乌利夫网格重迭后错位可以演示对经受压圆盘的应力及位移条纹。本文证明了乌利夫网格的径线和纬线实即对经受压圆盘中的主应力轨迹,因此这样两张网格迭加并错位后所形成的云纹显示了圆盘中应力及位移的分布情况.这     

芬太尼在家兔主要脏器内分布的研究

提出了以安定为内标，用气相色谱分离-氮磷检测器检测（GC-NPD）测定生物检材中芬太尼的方法，研究了芬太尼在静脉注射的家兔主要脏器内的质量浓度分布规律。结果表明：注射后10min时，脑及肝脏内血药浓度明显高于其它器官，30min时，胃壁内芬太尼浓度是脑内的1.8倍；连续小剂量给药后，芬太尼在肝、心、肾、胃壁等器官内分布较为均匀，尿、血内有一定量的分布，体内的芬太尼主要通过尿液排出体外。因此，对于滥用芬太尼者可以以尿、血作为检测对象，采用GC-NPD法进行分析。     

Jones矢量在光弹性中的一些应用

§1.Jones矢量和Jones矩阵: 我们知道,一束完全偏振的单色光,可用其光矢量在x,y方向的振幅分量及其相应的位相来完全确定。一般说来,振幅分量及其位相还与空间坐标有关,但在通常情况下,我们只对偏振状态和减速(Retardation)有兴趣,故常把光波在光路上某一定点的光矢量写为: 其中E_(ox),E_(oy)为光矢量在x、y方向的振幅分量,φ_x,φ_y为x,y分量的绝对位相。上式中括号内一项称为复数振幅矢量,可用一列矩阵表示:     

消偏参考光的偏振全息术

消偏参考光的偏振全息术是能记录并再现物光波偏振状态的一种有效方法。用偏振全息术可以在一张全息图上获得多种干涉条纹。文中论述了偏振全息术的原理、方法,计算了用不同光学元件观察全息图时所得到的光强分布,并与实验进行了比较。