Yb：GGG激光陶瓷的制备与表征

采用碳酸氢铵共沉淀法制备Yb：GGG纳米粉体,并用所制备的纳米粉体进行透明激光陶瓷的烧结。所制备的纳米粉体粒径均匀,颗粒度在80nm左右,活性较高,最佳煅烧温度为900℃及恒温时间为4h。对纳米粉体进行成型、预烧及烧结等处理,通过真空烧结方法制备Yb：GGG透明陶瓷,确定了陶瓷的烧结工艺。借助XRD、荧光光谱和透过率光谱等测试手段对制备的陶瓷材料进行了结构及光学性能的表征。     

Tm,Ho:BaY2F8纳米晶制备及性能表征

采用水热合成方法制备了Tm,Ho:BaY2F8纳米晶,对Tm,Ho:BaY2F8纳米晶进行了X射线、扫描电镜及荧光光谱分析测试,确定了水热方法制备Tm,Ho:BaY2F8纳米晶的最佳温度为210℃;扫描电镜形貌测试表明210℃下,Tm,Ho:BaY2F8纳米晶的尺寸大小为100 nm;荧光光谱分析得出掺杂浓度为5%Tm3+和0.5%.Ho3+的Tm,Ho:BaY2F8纳米晶的上转换效率最高.