利用δ函数计算水热反应溶液的温度

根据传统的传热理论计算公式,利用δ函数来计算水热反应釜内溶液温度变化的动力学过程。发现利用δ函数计算所得到的结果简洁明了。通过在线测定干燥箱环境初始温度分别为５０、６０、７０、８０和９０℃时反应釜内溶液的实际升温变化曲线,利用Ｏｒｉｇｉｎ８.０软件将实验数据与由δ函数推导出的方程进行拟合,结果表明：根据δ函数推导出的方程所计算结果与实验实际测试数据拟合得很好,从而找到了一种较好的计算水热反应釜内温度的方法。     

利用δ函数计算水热反应溶液的温度

根据传统的传热理论计算公式,利用δ函数来计算水热反应釜内溶液温度变化的动力学过程.发现利用δ函数计算所得到的结果简洁明了.通过在线测定干燥箱环境初始温度分别为50、60、70、80和90℃时反应釜内溶液的实际升温变化曲线,利用Origin 8.0软件将实验数据与由δ函数推导出的方程进行拟合,结果表明：根据δ函数推导出的方程所计算结果与实验实际测试数据拟合得很好,从而找到了一种较好的计算水热反应釜内温度的方法.     

基于可见光响应的纳米硒半导体器件

不加入任何表面活性剂、利用溶解-重结晶原理合成了一维结构的Se纳米带,并用XRD,SEM及TEM等方法对产品进行了表征。以单根的硒纳米带为光电响应材料、以银浆为接触电极组装成纳米器件,并对光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试。结果表明:在可见光(日光灯)照射下,其对开灯的最快响应时间约为30 ms,关灯时最快衰减时间为50 ms。该纳米器件的光电流对温度有依赖作用,低温下有利于光电流的产生;单色光的波长对纳米器件的光电流及响应时间的影响不同,在单色光谱响应范围内,纳米器件在650 nm处产生的光电流最大,而在350 nm处的响应时间最快。     

拓扑绝缘体HgTe纳米材料制备技术

概述了近期碲化汞纳米材料的各种制备技术的研究进展,并总结了制备、技术中出现的问题。结合晶体生长机理,分析了碲化汞量子点、纳米线等典型的形貌特征。介绍了碲化汞制备技术研究中具有代表性的几个课题组的研究动向。结合本课题组的研究进展,讨论了碲化汞制备过程中碲源和汞源所存在的问题。最后展望了碲化汞的制备技术改进。     

纳米结构HgTe的制备方法综述与展望

纳米结构HgTe的光学和电学性质较其它Ⅱ-Ⅵ族半导体材料更易于进行量子调控，其量子点有望作为近红外荧光探针应用于生物细胞和组织成像研究领域。简要综述了HgTe的结构与性能、国内外制备纳米结构HgTe的方法（物理和化学方法），并展望了其应用潜力。     

基于水相法制备CdTe量子点及其功能化组装研究进展

量子点具有荧光效率高、Stokes位移大,以及独特的宽激发窄发射性能,在实现高分辨率生物成像方面具有巨大的应用价值。水相法制备CdTe量子点具有操作简单、可重复性强以及产物水溶性良好等优点,成为绿色、廉价合成量子点的新宠。以CdTe为主体,总结了近年来出现的水相法制备CdTe量子点的新进展,并对其功能化组装新思路进行了综述。