匀胶速度对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构的影响

用粉末—溶胶法和快速退火工艺在S i(100)基片上制备了Ca0.4Sr0.6B i4Ti4O15陶瓷厚膜。研究了匀胶速度及退火温度对厚膜结构的影响。用X射线衍射表征了厚膜的晶体结构,用扫描电镜观察了样品显微形貌。结果表明在750℃进行退火,匀胶速度为4500 r/m时样品晶粒发育良好,表面平整无裂纹,厚度约为1.5μm,且a轴取向较明显。     

取向对钙锶铋钛陶瓷结构和性能的影响

用固相烧结工艺制备了Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15陶瓷圆柱体。沿着圆柱体轴线方向切割制成测量样品A。研究了取向对样品结构和性能的影响。X射线和电性能测试结果表明:竖向切割样品A具有a/(b)择优取向;样品A的介电常数和介电损耗因子分别为εr=301和tanδ=0.0042;样品A的剩余极化强度(2Pr)和矫顽场(2Ec)分别为26.8μC/cm2和48.5V/cm,优于样品B。     

Sm掺杂对Ca_(0.4)Sr_(0.6)Bi_4Ti_4O_(15)铁电薄膜性能的影响

利用溶胶凝胶工艺在Pt/TiO_2 /SiO_2 /Si衬底上制备了Ca_0.4Sr_0.6Sm_xBi_4-xTi_4O_(15)铁电薄膜.研究了不同钐掺量对薄膜的显微结构、晶粒取向及铁电性能的影响.结果表明:钐掺杂对钙锶铋钛铁电薄膜既有抑制氧空位所导致的畴钉扎作用,也有抑制晶粒生长发育的作用.当钐掺量x=0.05时薄膜样品晶粒发育较良好,沿a轴择优取向,I_((200))/I_((119))=0.869;样品铁电性能优良,剩余极化强度P_r=10.2 μC/cm~2,矫顽场强度E_c=120 kV/cm.     

粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响

采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2>/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜.研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响.结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能.750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能.其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值.     

单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

采用Sol—Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt／Ti/SiO2／Si基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕（C0.4S0.6NT）铁电薄膜。研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响。研究结果表明：适当的单层膜厚有利于薄膜在（200）方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能。单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24．155μC／cm^2、148．412kV／cm,具有较高的应用价值。     

退火温度和匀胶速率对SrBi_(3.88)Nd_(0.12)Ti_4O_(15)薄膜铁电性能的影响

用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/ SiO_2/ Si基片上制备了SrBi_3.88 Nd_0.12 Ti_4O_(15)铁电薄膜材料,研究了退火温度和匀胶速率对铁电薄膜材料结构、铁电性能的影响.退火温度为750 ℃、匀胶速率为3000 r/min薄膜样品为纯的铋层状钙钛矿结构且没有其它杂相出现,a轴取向的晶粒较多,铁电性能较好,剩余极化强度和矫顽场分别为2P_r=26.7 μC/cm~2、2E_c=80 kV/cm.     

烧结温度对Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15陶瓷介电性能影响

用固相合成工艺制备Ca<,0.4>Sr<,0.6>Bi<,4>Ti<,4>O<,15>陶瓷材料样品,研究了烧结温度对其介电性能的影响,得出Ca<,0.4>Sr<,0.6>Bi<,4>Ti<,4>O<,15>陶瓷材料最佳的制备工艺.研究结果表明:烧结温度为1210℃,所得样品的晶粒发育较好,介电性能优良,相对介电常数ε<...     

单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

采用Sol-Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt/Ti/SiO2/Si 基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响.研究结果表明:适当的单层膜厚有利于薄膜在(200)方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能.单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24.155μC/cm2、148.412kV/cm,具有较高的应用价值..     

烧结温度对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷性能的影响

用固相合成方法制备了Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷,研究了烧结温度对Sr_2Bi_4Ti_5O_(18)铁电陶瓷相结构、显微结构、铁电性能和介电性能的影响,分析了相关机理.结果表明,在1150C℃进行烧结,样品晶粒发育完全,晶粒α轴择优取向,铁电性能优良,剩余极化强度2P,达到15.3μC/cm2、矫顽场强2E_c为103kV/cm;在100kHz～1MHz频率范围内,介电常数为176～168,介电损耗为0.027～0.025,具有较好的频率稳定性.