核电站继电保护二次回路可视化技术

针对核电站继电保护二次回路设备运维难度大等问题,提出了一种核电站继电保护二次回路可视化运维平台.首先分析了核电站继电保护二次回路的可视化功能需求,并设计了其架构和方案;其次从设备运行状态、配置描述文件管理、故障信息传递等方面对全景可视化进行了研究;最后建立了核电站继电保护二次设备故障诊断与告警模型,实现了核电站的智能化预警.该可视化运维平台可大幅度提升核电站运维管理的智能化水平.     

基于线电流解耦的三相光伏逆变器控制研究

三相半桥电压源型逆变器存在三相开关控制相互干扰的问题,要实现定频滞环控制,必须对三相开关控制进行解耦。如果采用基于相电流的解耦控制方法,电流误差准确度过分依赖于逆变器交流侧的电感参数。提出基于线电流的解耦控制方法,保持某相开关状态不变,实现另外两相线电流控制的解耦,有效改善光伏逆变器输出性能;并通过采用基于积分法的定频滞环电流控制算法,提高系统控制精度。Matlab仿真结果证明,基于线电流解耦的解耦控制方法,能准确实现电流跟踪;积分滞环电流控制算法在实现定频控制的同时,能有效降低输出电流低次谐波含量,减少稳态误差。     

Flash Paper2在电子教案开发中的应用

目前，有众多的软件工具可以用于电子教案的制作，比如Microsoft Word和Power Point，Macromedia Flash及Adobe Acrobat Reader等，其中不乏优秀的创作工具，但是这些软件制作出来的电子教案往往占剧空间大、不易传输、保密性与安全性不高。虽然swf格式的Flash动画或pdf格式的电子文档占用硬盘空间较小，适合网络传播，保密性强；     

湿N_2退火HfTiO和HfO_2栅介质Ge MOS电特性研究

采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质质量。测量结果表明,湿N2退火Al/HfTiO/n-GeMOS和Al/HfO2/n-GeMOS电容的栅介质等效厚度分别为3.2nm和3.7nm,-1V栅偏压下的栅极漏电流分别为1.08×10-5A/cm2和7.79×10-6A/cm2。实验结果还表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入提高了介电性能,但是Ti的扩散也使得界面态密度升高。     

HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析

采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。     

基于贪心算法进行三角剖分的印鉴匹配方法

将计算几何中平面点集的三角剖分方法-贪心算法引入印鉴识别,研究了一种基于三角网格的印鉴匹配方法.通过对细节点的拓扑结构进行三角划分,把空间上位置相近的细节点按照一定的规则相连,得到三角形网格.然后基于该网格寻找若干参考点对,并根据获得的参考点对将两幅印鉴图像进行姿势调整.最后使用获得的参考点对实现基于点模式的印鉴匹配,经分析该方法是一种行之有效的印鉴匹配方法.     

古树岭人工碎石加工系统生产能力分析

三峡工程古树岭人工碎石加工系统是左岸一、二期工程混凝土粗骨料供应基地，对该系统的工程概况、生产能力、级配调整等情况作了全面介绍。     

退火气氛对Ge MOS电容电特性的影响

采用反应磁控溅射法在Ge衬底上制备了HfTiO高介电常数k栅介质薄膜,研究了不同气体(N2、NO、N2O)淀积后退火对Ge金属-氧化物-半导体(MOS)电容性能的影响.透射电子显微镜和电特性测量表明,湿N2退火能有效抑制界面层的生长,提高界面质量,改善栅极漏电流特性,从而得到最优的器件性能,即Al/HfTiO/n-Ge MOS电容的栅介质等效氧化物厚0.81 nm,k=34.5,带隙中央界面态密度为2.4×1011cm-2·eV-1,1 V栅偏压下的栅极漏电流为2.71×10-4A·cm-2.     

表面钝化对Ge MOS电容可靠性的影响

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高k栅介质.研究了表面钝化对Ge MOS器件性能的影响.实验结果表明,湿NO表面钝化能生长高质量GeOxNy界面层,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性.     

表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响

通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质.研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性.