会计事后监督系统

针对中国工商银行江西省分行会计事后监督系统的异种机网络构成,应用程序的实现和环境的配制进行了全面的阐述。     

与非合作目标交会的多约束有限时间最优控制

针对拦截卫星的末端轨道拦截任务,研究了基于状态反馈的轨道控制器设计方法.考虑系统参数不确定性,建立了相对运动模型.同时考虑系统有限时间二次型性能指标、控制输入限幅和极点配置,提出了多约束条件的控制器设计问题并给出了控制器的设计方法.该方法采用线性不等式技术,根据Lyapunov稳定定理推导出控制器存在的充分条件,并将控制器的设计转化为一个凸优化问题进行求解.仿真结果表明,设计的控制器能够使系统稳定,并且能在获得最优系统有限时间性能的同时满足控制输入限幅和极点区域限制.     

硅表面纳米图案化制作技术的研究进展

Si材料表面形成纳米化图案是制作新型硅基纳米电子器件、光电子器件等的基础和前提.根据不同需要,在纳米图案化Si衬底表面淀积不同功能纳米材料则能将成熟Si平面工艺技术的优势与纳米材料的新功能优势结合起来而制作出性能优良的Si基纳电子和光电子器件.介绍了具有纳米图案化表面Si材料在晶格失配较大Ⅲ-Ⅴ族材料外延制备上的应用,综述了各种Si衬底材料表面纳米图案化制作技术.     

含二氧化钛的有机硅耐磨透明涂料的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法,将钛酸酯、正硅酸乙酯和硅烷偶联剂(KH-560)进行共水解,经涂覆、固化,制备了含二氧化钛的耐磨透明膜层材料,通过各种方法对该涂料和膜层的光学和机械性能进行了分析表征。结果表明:所得复合耐磨透明膜层材料在可见光范围内的透过率均在90%以上,具有较好的耐热性,并且膜层与基材的附着性好,铅笔硬度达到6H。     

UHV/CVD生长本征硅外延层的研究

在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层。文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价。采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)器件击穿特性良好。     

亚45 nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

随着45nm技术的临近，减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限。传统掺杂多晶硅，二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化。此外，沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升。因此，需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能。本文在介绍这3种新材料优势的同时，分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类，指出了未来电路中新材料的进一步发展方向。     

基于边缘检测的颤抖自动补偿精密加工仪的设计

文中设计了一种在精密加工操作中,对操作人员及外界非正常颤抖信号进行检测并自动补偿的微型操作仪。仪器结构精巧,具有可拆卸及更换的加工探头,方便不同精密加工的使用;采用激光干涉仪对精密加工位置信号进行检测,基于经典PID闭环控制和边缘检测原理,对干扰信号进行判断并做出相应补偿措施;采用压电陶瓷微电动机PM的逆向运动自动补偿颤抖产生的误差,从而保证精密加工的可靠性和精确度。实验表明,该微型仪器能自动补偿颤抖干扰信号,精度可达到1μm,对精密加工的精度提高及误差补偿研究有一定借鉴价值。     

组织培养技术在葡萄无核育种上的应用

葡萄组织培养技术，特别是胚、胚珠培养技术在无核葡萄育种研究中发展迅速。利用无核葡萄品种作母本，特别是利用假单性结实的无核葡萄品种作母本，用无核品种涂父本进行杂交，合子胚还未败育时，采用胚珠培养技术可以得到杂种实生苗．这种杂种实生苗无垓比例较高，可以达到８２％，理论上可达１００％。选择合适的亲本，掌握无核葡萄胚珠败育时期，培养基激素的选择，以及如何促进胚的萌发，是正确利用这项技术的关键。     

英国“海鬼”号隐身护卫舰现形

介绍英国新研制的“海鬼”号隐身护卫舰及其采用的隐身技术和存在的问题。