半导体锗纳米团簇和纳米层的生成与结构研究

我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫描透射电子显微镜(HR-STEM)测量样品的纳米结构，并采用美国威思康新州立大学开发的Rump模拟软件对卢瑟福背散射谱(RBS)中的CHANNEL谱和RANDoM谱分别进行精细结构模拟，测量并计算出纳米氧化层与锗的纳米薄膜结构分布，并且反馈控制加工过程，优化硅锗半导体材料纳米结构样品的加工条件。我们测量出样品横断面锗纳米团簇和纳米层的PL发光谱。我们在硅锗合金的氧化层表面中首次发现纳米锗量子点组成的几个纳米厚的盖帽膜结构，我们首次提出的生成硅锗纳米结构的优化加工条件的氧化时间和氧化温度匹配公式的理论模型与实验结果拟合得很好。     

圆弧样板的形状精度及其对半径测量的影响

圓弧样板在机械工业中也是經常遇到的量具之一。但是,由于圓弧样板的技术标准和制造图紙上,一般只規定了工作尺寸(半径R)的公差,沒有規定圓弧几何形状的允差,因而在制造和检定工作中,对于如何考核圓弧样板质量問題,常常产生爭論;而选     

大型循环流化床锅炉钟罩式风帽流化特性试验研究

本文针对国内几种应用于大型循环流化床锅炉中的钟罩式风帽的流化特性进行了冷态及热态试验研究。参考电站锅炉实际运行工况,采用电阻法测量了风帽附近料层的气固流动特性,并采用高速摄影观测了不同流化风温度时风帽周边料层大颗粒的运动特性。试验结果表明,钟罩式风帽内芯小孔总面积对风帽阻力特性和流化特性的影响较大,增大流化风量、提高流化风温度均能使钟罩式风帽的扰动范围增加,风帽周边大颗粒堆积高度降低,料层的扰动特性变好。本文的研究工作可为大型循环流化床电站锅炉风帽的优化设计和运行中风帽磨损、变负荷布风板结焦等不正常运行问题的分析与解决提供参考。     

贵州织金新华含稀土磷矿床的电子探针研究

位于贵州织金县的新华磷矿是一个超大型磷、稀土综合矿床。已探明磷矿石储量13.148亿吨，稀土氧化物储量144.16万吨。至今稀土元素未找到一条效益理想的综合利用途径。     

PAFC脱除贵阳市城市污水中磷的TEM-EDS研究

采用化学沉降法对贵阳市城市污水进行深度净化,以含锌废酸洗液制备的聚合氯化铝铁絮凝剂(PAFC)去除污水中的磷。TEM及EDS检测表明:贵阳市城市污水中的磷主要以有机生物体形态存在,有代表性的微粒是条状微生物,条状微生物还是重金属锌的富集体。PAFC絮体将条状微生物及黏土矿物碎屑等颗粒物包裹沉降后,污水中的磷与重金属锌也随之被去除。含锌PAFC絮凝剂对贵阳市城市污水的脱磷处理不会带来重金属的二次污染。     

MB26镁合金热加工工艺的研究

通过力学性能试验、金相、扫描电镜及透射电镜等方法和手段对MB26(Mg—Zn—Zr—RE)合金在不同热加工工艺条件下的样品进行了分析和研究。研究结果表明：MB26镁合金在挤压、淬火及淬火时效3种热加工工艺条件下，以挤压状态下所获得的力学性能为最佳，其σb值可达370MPa以上。510℃／2h的淬火工艺使挤压态下的力学性能大为下降。微观原因为：加热破坏了挤压态下均匀的板条组织及合金元素的均匀分布，并产生严重的过烧组织。170℃／10h时效工艺可使淬火态下微观范围内的淬火空位得到填补，但不能改善较为宏观的孔洞的存在及组织疏松的状况，并产生再结晶等轴晶粒及晶界，因而也不能明显地改善其力学性能。MB26镁合金以挤压态为最佳使用状态。     

氧化亚氮的制备

由于氧化亚氮——乙炔火焰具有温度高(2950℃)、燃烧速度慢、还原气氛强及干扰少等优点,近年来用氧化亚氮——乙炔火焰使难熔金属元素原子化进行原子吸收光度测定已越来越多。我们采用硝酸铵——硝酸法制备氧化     

东坪碱性杂岩体金矿的EPMA研究

东坪碱性杂岩体金矿位于河北崇礼县东坪，自上世纪80年代发现以来，经过多年的地质勘探，探明的金矿规模已达到大型超大型规模，成为我国类型特殊，找矿前景广阔，成矿潜力巨大的新矿床类型，引起了国内矿床学界的广泛注意。我国富碱侵入岩分布广泛，并多沿地体或板块边界，内部深断裂成带状分布，寻找与碱性岩有关的金矿床具有广阔的前景。深入研究东坪金矿的成矿机理，对于寻找与碱性杂岩体相关的金矿具有重要的理论和实践指导意义，本研究通过对东坪碱性杂岩体金矿原生金的赋存状态的电子探针（EPMA）研究，为东坪金矿的成矿机理的深入研究提供相关信息。     

激光加工形成硅基上的氧化低维纳米结构的PL发光

用激光辐照硅样品和硅锗合金样品能够形成多种氧化低维纳米结构,可以用激光与半导体相互作用产生的等离子体波模型来解释这些结构的形成机理.其中,在单晶硅上形成的网孔壁结构有很强的706nm波长的光致发光(PL)峰,在硅锗合金上形成的多孔状结构于波长为725nm处有极强的PL峰,在硅锗合金上形成的条形片状结构分别在波长为760nm和866nm处也有较强的PL峰;这些结构表面都覆盖有氧化硅层,在硅锗合金上的氧化硅层中镶嵌有纳米锗品团簇,并用相应的模型解释了这些氧化低维纳米结构的强光致发光效应.