多晶硅薄膜(CVD)的生长规律及膜的基本物理性质研究

据文献[1-7]报道,多晶硅薄膜的结晶粒度、晶界分布及载流子复合截面的大小直接与膜的生长工艺条件有关,它是影响光伏器件的质量和效率的重要因素。为了增大结晶粒度,降低晶界损失,提高光生载流子的收集效率,以满足制备高效率、低成本的光伏器件的需要,我们在用CVD法研制多晶硅薄膜过程中,较系统地研究了各种工艺参数对多晶硅薄膜的晶     

变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响

为了制备高效多晶硅薄膜太阳电池及其它半导体薄膜光电器件,除了需要选择成膜工艺条件外,还应借助对工艺条件等的控制,实现对膜的电阻率及其剖面分布的有效控制,这在光伏电池及半导体器件研制过程中是很重要的。本工作基于上述目的,在用化学气相沉积法(C.V.D)制备多晶硅薄膜太阳电池过程中,对膜的电阻率及其剖面分布与各种工艺条件的关     

由邻异丙基苯酚合成呋喃酚的中间反应物测定

呋喃酚(2,3-二氢-2,2-二甲基-7-苯并呋喃酚)是合成呋喃丹的主要中间体。文献介绍由邻异丙基苯酚为起始原料合成呋喃酚的过程简述如下:     

甲型和甲-Ⅰ型发动机全新设计的第Ⅲ级涡轮转子及涡轮盘强度与寿命考核试验

本文记述了甲型和甲-Ⅰ型发动机第Ⅲ级涡轮转子和涡轮盘全新设计过程中,为配合设计、改型、定型、定寿所进行的一系列超温、超转、破裂转速以及低循环疲劳试验。试验结果已用于指导该机涡轮转子的设计、机组定型和确定轮盘的批准寿命。     

互联网背景下河北省服装产业转型升级策略研究

文章分析了互联网背景下河北省服装产业的现状和存在的问题,指出借助互联网技术,通过整合线上线下资源,提升产业协同智造能力,丰富供应链转型模式,创新营销模式,塑造个性化品牌等方式,能有效地促进河北省服装产业转型升级,提升企业竞争力,实现产业良性可持续发展。     

多晶硅薄膜(CVD)中硼杂质的剖面分析

G·C·Jain等曾对高温扩散到太阳能等级的多晶硅和单晶硅中的硼作过剖面分析:用阳极氧化对硅层逐次减薄,每次减薄后,用四探针法测剩余硅层的薄层电阻,通过对薄层电阻与剩余硅层厚度(距表面深度)关系的测定,求得硼的剖面分布曲线。我们建立了与此相类似的,更为简单易行的剖面分析方法,用化学腐蚀代替阳极氧化,依据实验数据作图,求出杂质分布剖面,并对CVD法制备的多晶硅膜作了硼杂质的剖面分析。此方法虽不如用具有电子枪剥离装置的俄歇(Auger)电子能谱仪作剖面分析快,但操作及设备简单,可代替俄歇能谱作杂质剖面分析。     

用CVD和高温退火技术制备大晶粒多晶硅薄膜

多晶硅薄膜是许多小单晶的集合体,存在大量的晶界。这些晶界把小的单晶体相互分隔,构成了材料的内表面,具有很高的态密度,对光生载流子起着复合中心的作用。晶界密度(或品界复合截面)越高,光生载流子的复合效应越强,这对于半导体器件的制作是十分有害的。 为了降低晶界效应,T.L.Chu等曾利用单向再结晶技术,用经过化学提纯的冶金硅粉     

煤仓施工中的锚网—混凝土联合支护

文章通过在稳定性较差的围岩中煤仓支护施工的实例，介绍了锚网-混凝土联合支护技术的优点及支护效果。     

长杆局部锻造

我厂生产φ36、φ32毫米,长500～2500毫米的拉杆锻件达十几种,它仅需在头部镦粗,图1为拉杆镦粗变形过程。由于拉杆很长,一般锻压设备行程又短,在夹板锤镦粗头部,劳动强度大,又不安全,为此我们设计了压力纵锻模(图2)和传动平镦模卡具(图3)两套工装,传动平镦模卡具全长3150毫米。     

高弹道系数再入飞行器低高度整体回收优化设计技术

开发了高弹道系数再入飞行器低高度整体回收总体优化设计系统,并利用该系统对作为算例的某回收系统总体方案进行了研究.在传统名义优化设计的基础上,特别考虑了设计变量和系统参数不确定性,结果表明对算例特定的回收对象而言,必须在6 km(海拔)高度启动预减速阶段时抛掉更多的质量,同时还要留出一定的余量以保证高超声速阻力环和超声速伞的起始工作条件(来流马赫数)满足要求.