MgO掺杂对功率型PZT压电陶瓷性能的影响

通过掺入不同比例的MgO,采用固相烧结法,制备出一种Pb0.95 Sr0.05(Zr0.525 Ti0.475)O3+1.1 mol％ CaFeO5/2+0.3mol％ Fe2O3+0.2mol％ Li2CO3+xmol％ MgO压电陶瓷材料.实验表明:适量MgO掺杂可以改善材料压电介电性能,在保持较高压电性能基本不变的前提下,提高机械品质因数Qm,降低介电损耗tanδ.当x=0.2时,陶瓷的综合性能最佳,具体性能参数为:压电应变常数d33=254 pC/N,平面机电耦合系数Kp=54.5％,相对介电常数εT33/ε0=960,介电损耗tanδ=0.34％,机械品质因子Qm=822.其性能满足大功率压电器件的要求,能较好地应用于压电变压器、超声换能器等器件中.     

水热法合成锆钛酸铅PZT纳米线

压电材料锆钛酸铅（PZT）纳米线具有优异的传感和驱动性能,同时其尺寸小,比表面积大,在纳米器件方面具有良好的应用前景,如纳米级的压电传感器和驱动器,超声装置等。相比较于大多数文献要通过加入表面活性剂PVA或者PAA等合成PZT纳米线,本文在不使用任何表面活性剂的条件下,采用ZrC102（8H20）,（C4H20）tTi,Pb（N03）3为前驱物,KOH为矿化剂,两步水热合成直径为200～500m、长度为10～50μm的PZT纳米线,水热过程所得产物并非钙钛矿结构,而是体心四方相结构（简称PX相）的P打纳米线。该纳米线经过退火处理（650℃退火20min）,可以实现晶型从体心四方到钙钛矿结构的转变。