影响陶瓷耐热锅热稳定性的因素

从工艺技术角度分析了影响陶瓷耐热锅热稳定性的因素;探讨了材料组成、原料细度、坯釉结合性、烧成制度对产品热稳定性的影响。并结合生产实际提出了改善产品热稳定性的方法和措施。     

Fabrication of 80-nm T-gate high indium In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As composite channels mHEMT on GaAs substrate with simple technological process

An 80-nm gate length metamorphic high electron mobility transistor (mHEMT) on a GaAs substrate with high indium composite compound-channels In_0.7Ga_0.3As/In_0.6Ga_0.4As and an optimized grade buffer scheme is presented. High 2-DEG Hall mobility values of 10200 cm²/(V· s) and a sheet density of 3.5 × 10¹² cm^-2 at 300 K have been achieved. The device's T-shaped gate was made by utilizing a simple three layers electron beam resist, instead of employing a passivation layer for the T-share gate, which is beneficial to decreasing parasitic capacitance and parasitic resistance of the gate and simplifying the device manufacturing process. The ohmic contact resistance R_c is 0.2 Ω ·mm when using the same metal system with the gate (Pt/Ti/Pt/Au), which reduces the manufacturing cycle of the device. The mHEMT device demonstrates excellent DC and RF characteristics. The peak extrinsic transconductance of 1.1 S/mm and the maximum drain current density of 0.86 A/mm are obtained. The unity current gain cut-off frequency (f_T) and the maximum oscillation frequency (f_max) are 246 and 301 GHz, respectively.     

提高机器人位置、速度传感器分辨力的方法

用光栅构成的机器人速度、位置传感器测量系统常用硬件进行信号细分,存在细分数不高,硬件复杂等问题。为此,研究了一种神经网络细分方法,并研究了一种用于细分的直接映射小脑模型神经网络。实验和实用证明,研究的小脑神经网络具有学习精度高、速度快,算法简单等特点;只要用很少的训练样本即可达到很高的细分精度,使分辨力得到很大提高,简化了硬件设计,提高了系统的可靠性。     

烷基铵盐对甲胺基钙钛矿薄膜质量调控及性能研究

为了实现钙钛矿薄膜的规模化制备,以烷基铵盐（MACl）为添加剂,通过控制钙钛矿薄膜的结晶速率,获得了致密性良好且缺陷态密度较低的钙钛矿材料;通过SEM、XRD、UV-Vis和J-V系统表征了钙钛矿材料的微观结构及光电性能,探究了钙钛矿薄膜质量及器件性能提高的相关机制。研究结果表明：当MACl的摩尔分数为20%时,钙钛矿薄膜的晶粒大小及形貌达到最优值,光生载流子寿命提高了3倍以上,器件的最高光电转换率由原来的4.21%显著提升至14.17%。     

一种基于In0.4Ga0.6As MOSFET 技术制备的新型射频开关器件

本文采用InGaAs MOSFET技术成功制备了一种新型射频开关器件。这是首次采用InGaAs MOSFET技术设计设开关器件。器件的饱和电流密度为250mA/mm,最大跨导为370mS/mm,导通电阻为0.72 mΩ?mm2,,开关比为1×106。最大开态功率容量密度为533 mW/mm,关态功率密度为3667 mW/mm。文中设计的In0.4Ga0.6As MOSFET开关器件在0.1GHz~7.5GHz频率范围内的插入损耗低于1.8dB,隔离度大于20dB。最小插入损耗和最大隔离度分别为0.27dB和65dB。本文的研究说明了InGaAs MOSFET技术对于射频开关器件的应用拥有巨大的潜力。     

用于GaAs射频集成电路的不同厚度氧化铝MIM 电容的研究

本文研究了不同厚度的氧化铝对MIM电容直流和射频特性的影响。在1MHz下,对于20nm氧化铝MIM电容,其拥有3850 pF/mm₂的高电容密度和可接受的681 ppm/V₂的VCC-α电压系数。1MHz时突出的74 ppm/V₂VCC-α电压系数,8.2GHz谐振频率以及2GHz时41的Q值可以从100nm氧化铝MIM电容获得。采用GaAs工艺以及原子层淀积制造的高性能ALD氧化铝MIM电容很有可能成为GaAs射频集成电路很有前景的候选器件。