AutoCAD在施工图绘制中的方法与技巧介绍

文章就利用ＡｕｔｏＣＡＤ绘制水利、建筑施工图中较常遇到的棘手问题进行了分析，提出了诸如图形绘制环境参数的设置，尺寸标注形式选定，设定字体以及在同一幅图中绘制不同比例图形等问题的方法，以方便工程设计人员绘图。     

振动和级数对星载TDI CCD成像质量影响的模拟分析

为了研究振动和级数对星载TDI CCD成像质量的影响,模拟了发生振动时不同TDI CCD级数的图像,并采用像移计算MTF方法对成像质量进行评价.结果表明:发生振动时,TDI CCD级数变化对成像质量会造成影响,成像质量随着TDI CCD级数的增加而下降;TDI CCD级数的选择应结合卫星姿态控制精度、发生星颤时造成像移的大小等因素综合确定.     

两种介孔硅材料对布洛芬控制释放的研究

利用溶胶-凝胶法合成MCM-41,并用γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH560)进行环氧基修饰,制备了未经修饰改性和环氧基功能化的两种MCM-41材料。通过电镜、XRD、红外(IR)、氮气吸附脱附等方法对两种材料的性能进行比较研究,并利用这两种材料设计了pH控制的布洛芬吸附-释放系统。结果表明,改性前后的MCM-41均保持了良好的孔道结构,MCM-41释放迅速,且释放量多,8 h达到饱和,而环氧基改性后的MCM-41能够起到缓慢释放的效果,为释放总量65%左右,低于前者。     

水杨醛缩对羟基苯甲酰肼及其配合物的荧光研究

将Schiff碱与金属盐在一定的条件下反应,生成了具有稳定的结构和生物活性的配合物.该类配合物被广泛应用于药学、催化和分析化学等领域.本实验设计合成了水杨醛缩对羟基苯甲酰肼Schiff碱配体(H2L)及其10种金属配合物.采用红外光谱、元素分析、热重-差热分析对Schiff碱配体及其配合物进行了表征.并对目标化合物的荧光活性进行了初步测定.     

砷化镓衬底与MESFET中深能级研究

用波长范围为 70 0 nm到 350 0 nm的光电流测试系统研究了 SI- Ga As衬底、有源层和MESFET中的深能级。结果显示在 SI- Ga As衬底、有源层和 MESFET中的深能级有着较为密切的联系 ,这些深能级影响着器件的性能     

基于霍尔阵列传感器的钢丝绳缺陷定量检测技术的研究

传统的钢丝绳无损检测装置采用感应线圈作为传感器,但由于线圈传感器的输出与钢丝绳的运动速度相关,使用霍尔传感器可有效地克服钢丝绳运动速度的影响。设计了一种基于霍尔阵列传感器的钢丝绳无损检测系统,系统不仅可实现缺陷在钢丝绳轴向的准确定位,且可实现对不同周向位置的缺陷的检测,提高了钢丝绳缺陷检测的维度,并通过二值化漏磁图像的局部像素和来实现缺陷大小的定量,取得了良好的检测效果。     

钢丝绳缺陷漏磁信号的通道均衡化方法

为了获得更全面的漏磁分布信息,提高缺陷定量识别的精度,应用霍尔阵列传感器检测三维漏磁场．在霍尔阵列传感器的检测过程中,由于周向分布的霍尔的提离距离差异和励磁强度的不均匀性等会导致其输出信号出现相异性,为此,本文提出了一种漏磁信号基线预估和各通道峰值归一化相结合的方法,可有效补偿由于提离距离波动及励磁强度不均匀所造成的霍尔阵列传感器的通道相异性,提高了漏磁信号的信噪比及漏磁图像的对比度. 实验结果表明,均衡化后的漏磁图像缺陷定量检测准确率高．     

半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究

用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中存在着相似的深能级 ,衬底的深能级影响着器件的光敏等性能。还讨论了如何减少器件中光敏现象的方法。     

周智慧书画作品

正~~     

多氨基含氮配体改性有序介孔材料的制备及对铀(Ⅵ)的吸附性能研究

利用溶胶-凝胶法制备了有序介孔材料MCM-41,并用四乙烯五胺对其进行修饰,制备了多氨基改性的介孔氧化硅吸附剂。采用低温氮吸附(BET)、扫描电镜(SEM)、红外光谱(IR)、X射线粉末衍射(XRD)对材料进行表征。BET比表面积为1 052 cm~2/g,孔容为1.194 m L/g,平均孔径为3.86 nm。当pH=5.2,吸附时间30 min,初始浓度120 mg/L时,吸附剂对铀酰离子的吸附达到454 mg/g。