N-羟甲基丙烯酰胺的合成

对N－羟甲基丙烯酰胺（NAM）的合成工艺做了进一步的研究。结果表明：在丙烯酰胺：甲醛＝1∶1．05（mol比），碱性催化剂存在下，70℃反应3h。转化率可达99％。产品质量稳定，反应液可不经分离直接用作交联剂，降低了生产成本。并提出用固含量法测定溶液中的NAM含量，简易可靠。     

一种新的S/PDIF接收机数据译码的实现方法

论文分析了S/PDIF音频数据流的特点,引入模式识别中的训练机对S/PDIF音频数据流进行现场脉冲宽度特征提取。依据训练机结果建立分类器实现脉冲宽度分类,根据脉冲宽度进行同步前置码和逻辑电平的解码。利用硬件描述语言Verilog进行设计实现与验证,仿真结果说明这种特征提取方法可以提高S/PDIF接收机数据解译码的适应性和准确性。     

浏览Windows 98的Program Files文件夹

笔者安装的是Windows 98+Windows XP双系统。近日,在Windows XP浏览Windows 98所在分区的文件夹时,发现打开Program Files文件夹后,闪了一下后,所有文件夹全都不见了。而该分区其他文件夹没有这种情     

冷等离子体提纯硅的速率模型分析

应用反应动力学方法建立基元反应速率方程并按工艺条件进行耦合,得出了以宏观工艺参数表达的提纯速率方程,这种方程便于计算,能指导工艺优化并容易为工程师应用,计算结果与实验数据能较好的吻合。     

退火对聚合物有机发光器件的影响

制作了结构为ITO／MEH—PPV／AI的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH—PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30％左右,器件的寿命增加40％左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大。     

直流氩等离子体硅粉纯化工艺的研究

针对立式反应室、直流氩等离子体情况,建立硅粉的运动学模型,绘出粉粒沉降时间与粉粒粒度和进气速率的关系曲线,并通过该模型选择进气速率为4～10L/s,粉粒的粒度范围为70～100μm.为了提高粉粒沉降过程中纯化效果,建立并分析鞘层模型中与鞘层厚度、鞘层区离子浓度以及鞘层离子平均动能有关的工艺参数的变化关系并提出一套优化选择放电参数的方法.通过该方法优化工艺参数为反应室总压力为4～6Pa,阴极电压为2000V或是更高,鞘层厚度为1.2～2cm.提纯实验结果表明,硅粉的纯度可由99.6%提高到99.95%.     

硅粉在带振动阴极反应室中的刻蚀

文中提供了带倾斜角振动171极的等离子体反应室及他用于刻蚀硅粉的实验结果。振动171极上硅粉的运动分析表明其在反应区滞留的时间可达数分钟之久，这就使低纯硅粉的纯化处理可一次完成。刻蚀速率模型几个关键公式的计算结果表明中性高能粒子的刻蚀效果不可忽视。理论分析与实验数据大致吻合，这证明新的反应室用于粉粒表面刻蚀和纯化都大大优于立式反应室。     

冷等离子体中的粉体研究

介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要成果，分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时间及刻蚀状况。理论分析和实验结果表明带振动阴极的反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室要优越得多。研究表明冷等离子体对硅粉纯化具有应用前景。     

用DVI接口实现全彩色AM-OLED的实时动态显示

介绍了一种使用DVI接口实现AM—OLED动态显示的创新方法。通过选取合适的DVI接收器芯片，转换显示数据的格式，设计DDC接口电路，最终达到了AM—OLED动态视频显示的要求，实现了2英寸彩色AM—OLED屏的实时动态显示。     

UFPA探测单元的热学分析

用有限元方法对非致冷红外焦平面阵列(UFPA)的探测单元进行了有限元热分析,分析结果表明,微桥的结构可以显著地影响探测单元的热学性能,而且还得到了钛酸锶钡(BST)薄膜与红外辐射强度之间的线性关系、热饱和时间以及降温过程。利用得到的结果对探测单元尺寸进行了优化,制备出介电量热型UFPA探测单元,并分析了输出信号比期望值小的原因。