基于DEM高程对未知区域进行MAPGIS地形图的绘制

随着信息时代的来临,MAPGIS地理信息系统的应用越来越广泛,特别是地质、矿产、地理、测绘、水利、石油、煤炭、铁道、交通、城建、规划及土地管理等专业,但在地质工作过程中,许多未知地形区并没有公开的MAPGIS格式的地形图的,而最终提交报告或图件时,需提交MAPGIS格式的图像文件,本文阐述了使用global mapper对DEM高程数据的进行提取,利用Surfer软件对高程数据进行圆滑处理,最终实现对未知地形区MAPGIS格式地形图的绘制。     

AIrO3(A=Sr, Ba)复合氧化物粉体的可控合成与烧结

采用TG-DSC分析了IrO2与SrCO3、BaCO3的固相反应过程,探讨了不同温度、不同比例和二次煅烧等合成工艺参数对SrIrO3、BaIrO3物相的影响,得到了纯的SrIrO3、BaIrO3复合氧化物粉体的最佳合成条件。在此基础上,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了结晶度良好、高致密度的SrIrO3、BaIrO3复合氧化物陶瓷。     

沉积温度对射频磁控溅射TiN薄膜结构和表面形貌的影响

在不同沉积温度(25~400°C)下,利用射频磁控溅射技术在Si(100)基底上制备了TiN薄膜。采用X射线衍射仪和原子力显微镜研究了沉积温度对膜结构和表面形貌的影响,计算了晶面间距和晶格常数,分析了薄膜的应力性质。实验结果表明,不同沉积温度下制备的TiN薄膜主要含有(111)和(220)两种取向,以(220)为择优取向;随着温度的升高,薄膜晶化质量先提高然后趋于稳定。薄膜内应力为压应力,且随温度的升高而有所增大。随沉积温度升高,薄膜晶粒尺寸变小,表面结构更加均匀致密。     

功率对直流磁控溅射氧化钒薄膜电学性能的影响

采用直流磁控溅射方法在长有300 nm厚的Si₃N₄薄膜的Si(100)晶圆上制备了氧化钒薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和探针法分析了不同功率对薄膜结晶结构、成分、表面形貌和电学性能的影响。结果表明：不同功率沉积的氧化钒薄膜均为非晶结构,薄膜主要成分为VO₂和V₂O₅;随着功率的提高,薄膜的平均粗糙度降低,V₂O₅的含量升高,进而导致电阻温度系数绝对值也随之增大。     

蒸发速率对硅衬底电子束蒸发钛薄膜性能的影响

采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用原子力显微镜、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同蒸发速率下所得Ti薄膜的表面粗糙度、方块电阻和残余应力。结果表明，随着蒸发速率从0.1 nm/s升高到1.0 nm/s,Ti薄膜的表面粗糙度和方块电阻逐渐降低。不同蒸发速率下所得Ti薄膜的残余应力均为压应力，并且随蒸发速率的升高而增大。     

磁控溅射与电子束蒸发制备Ti薄膜性能的研究

为了研究不同制备方法对薄膜性能的影响，分别利用磁控溅射法和电子束蒸发法在长有500 nm厚的SiO2薄膜的Si(100)晶圆上制备了生长速度为1.0 nm/s，厚度为100 nm的Ti薄膜，并对薄膜的厚度、表面形貌、电阻、反射率及应力进行了测试。相比于电子束蒸发法，磁控溅射法制备的薄膜表面晶粒更加均匀致密，表面缺陷少，粗糙度较小，薄膜具有更低的电阻、应力以及更高的反射率。试验结果表明，磁控溅射法制备的薄膜电性能优于电子束蒸发法。电子束蒸发法制备的薄膜应力具有较大的变化范围，可用于多层膜之间的应力匹配调试。同时，也可以通过减少薄膜表面结构缺陷，减小薄膜表面粗糙度来提高薄膜的性能。