氧化法制备氟化石墨烯及其性能研究

以氟化石墨为原料,通过改进的Hummers法制备出氟化石墨烯,通过XRD、FTIR、SEM、TEM、TG和UV-vis对氟化石墨烯和氟化石墨进行表征,结果表明:通过改进的Hummers法制备的氟化石墨烯为含氧氟化石墨烯,氟化石墨烯层数为5层;与氟化石墨相比,晶面间距由0.34 nm增加到0.62 nm,在制备氟化石墨烯过程中引入的含氧官能团以C—O为主;含氧官能团的存在导致氟化石墨烯热稳定性能下降;以该种方法制备出的氟化石墨烯禁带宽度为2.99 eV,是具有一定带隙的半导体材料。