全文获取类型
收费全文 | 284篇 |
免费 | 63篇 |
国内免费 | 20篇 |
专业分类
电工技术 | 24篇 |
综合类 | 17篇 |
化学工业 | 98篇 |
金属工艺 | 22篇 |
机械仪表 | 14篇 |
建筑科学 | 29篇 |
矿业工程 | 26篇 |
能源动力 | 7篇 |
轻工业 | 19篇 |
水利工程 | 13篇 |
石油天然气 | 3篇 |
无线电 | 27篇 |
一般工业技术 | 12篇 |
冶金工业 | 26篇 |
自动化技术 | 30篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 28篇 |
2022年 | 16篇 |
2021年 | 24篇 |
2020年 | 11篇 |
2019年 | 19篇 |
2018年 | 16篇 |
2017年 | 6篇 |
2016年 | 14篇 |
2015年 | 21篇 |
2014年 | 20篇 |
2013年 | 16篇 |
2012年 | 17篇 |
2011年 | 10篇 |
2010年 | 9篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 8篇 |
2007年 | 11篇 |
2006年 | 15篇 |
2005年 | 17篇 |
2004年 | 7篇 |
2003年 | 10篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 7篇 |
1998年 | 8篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 2篇 |
1984年 | 2篇 |
1979年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有367条查询结果,搜索用时 453 毫秒
1.
《LED数显钟控定时器》一文本刊1995年第8期刊出后,许多读者来信询问LR 6818及TOF 3407等器件的细节,现请该文作者李浩然先生就读者提出的问题解答如 相似文献
2.
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO2磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响。所用抛光液(pH=10)主要由0%~4%(质量分数,下同)SiO2、0.075%H2O2、1%邻苯二甲酸氢钾和不同质量浓度的表面活性剂组成,其中表面活性剂为非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-9和AEO-15)、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)和两亲性非离子表面活性剂辛基苯酚聚氧乙烯醚(OP-50)。结果表明,磨料质量分数的增大会使ULK介质的去除速率和k值都增大。聚醚类表面活性剂都能在CMP过程中很好地保护ULK介质表面,降低其去除速率,OP-50的效果尤其好。当采用2%SiO2+0.075%H2O2+1%KHP+200 mg/L OP-50的抛光液进行CMP时,ULK介质的去除速率为5.2 nm/min,k值增幅低于2%,Cu和Co的去除速率基本不变。 相似文献
3.
考察了氮化镓(GaN)晶片在不同质量分数和pH的溴酸钾(KBrO3)溶液中的腐蚀电化学行为。结果显示,GaN在溴酸钾质量分数为1%时腐蚀电位最低。在此基础上使用光催化氧化法能够显著降低腐蚀电位,使GaN材料的腐蚀速率进一步提高。CMP实验结果显示:紫外光(UV)的加入使GaN在1%KBrO3溶液(pH=4)中的抛光速率提高,而再加入光催化剂二氧化锡(SnO2)会使得GaN材料的抛光速率进一步提高。当KBrO3质量分数为1%,pH=4时加入紫外光和0.2%(质量分数)SnO2,GaN材料的抛光速率可达502.4 nm/h,抛光后晶片表面的均方根粗糙度为0.11 nm。 相似文献
4.
Based on the concept of “element” and the fundamental thermodynamic principle,the relationships of the residual properties,the property changes of mixing,excess properties,fugacity coefficients and activity coefficients between the hypothetical solution of elemental species and the equilibrated solution of actual species were established.The hypothetical solution of elemental species provides a way of reducing the dimensionality of problem, simplifying the analysis and visualizing the phase behavior. 相似文献
5.
6.
7.
BLAS (Basic Linear Algebra Subprograms)是一个基本线性代数操作的数学函数标准, 该库函数分为三个级别, 每个级别提供了向量与向量(1级)、向量与矩阵(2级)、向量与向量(三级)之间的基本运算. 本文研究了在申威1621处理器上BLAS一级函数的优化方案, 以函数AXPY为例, 充分利用平台的架构特点对其进行性能调优,设计了自动的线程分配方案. 实验结果显示优化过后的BLAS一级函数AXPY相对于GotoBLAS参考实现版本的单核和多核加速比分别高达4.36和9.50, 对于每种优化方式均得到了一定的性能提升. 相似文献
8.
细菌浸出是镁质低品位铁镍硫化矿的潜在处理方案之一。针对该矿石浸出活性较低的问题,研究了硫酸预浸出和硫酸铵焙烧预浸出2种活化方案,并与细菌直接浸出(空白试验)做了比较。结果表明,2种活化方案都有利于金属回收,但硫酸铵焙烧预浸出方案的活化效果更优:浸出时间为8 d时,Ni、Cu和Mg的浸出率分别为90.2%、89.56%和61.19%,分别高于硫酸预浸出方案2.08%、12.2%和8.95%。矿石中的Mg主要在硫酸铵焙烧预浸出阶段进入溶液,细菌对Mg浸出的影响不大。XRD和能谱分析表明:浸出渣中Ni和Cu的残留量很低,Mg主要存在于难浸出的蛇纹石之中。 相似文献
9.
10.
目的 获得一种可改善单晶SiC晶圆化学机械抛光(CMP)效率的复合增效技术,实现单晶SiC晶圆高效率和低成本的加工要求,并对其增效机理进行深入研究。方法 通过抛光实验和原子力显微镜测试,探究长余辉发光粒子(LPPs)与不同光催化剂的协同作用对SiC–CMP的材料去除速率和表面粗糙度的影响。结合扫描电子显微镜(SEM)、紫外–可见漫反射光谱仪(UV–vis)、光致发光光谱仪(PL)和X射线光电子能谱仪(XPS)等仪器的测试结果,研究LPPs与光催化剂的协同增效机理。结果 与传统CMP的条件相比,在光催化条件下采用LPPs(质量分数0.5%)+TiO2(质量分数0.5%)+ H2O2(质量分数1.5%)+Al2O3(质量分数2%)的抛光液时,SiC的材料去除速率(MRR)由294 nm/h提高到605 nm/h,同时获得的晶圆表面粗糙度(Ra)为0.477 nm。然而,采用含有LPPs和ZrO2的抛光液抛光SiC时,其材料去除速率和表面粗糙度都未得到明显改善。XPS测试结果表明,LPPs与光催化剂的协同作用增强了抛光液对SiC的氧化作用。UV–vis和PL测试结果显示,LPPs与不同光催化剂协同效果的差异主要与其光学性能有关。结论 在光催化条件下,LPPs和TiO2对单晶SiC–CMP具有协同增效的作用,然而LPPs和ZrO2没有展现出协同增效的作用,即LPPs与光催化剂的协同作用可以改善SiC–CMP的性能,但是光催化剂的选择需要考虑LPPs的发光特性。 相似文献