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发射药膛内动态燃速规律研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过30mm高压滑膛模拟炮实验,采用压电测试系统与微波干涉系统同步测试膛内的燃气压力变化过程与弹丸运动变容过程,并经过内弹道方程的推导,对发射药在火炮膛内变容条件下的动态燃速规律进行了探索性研究。 相似文献
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用于空间系统的电子元器件和电路性能受辐照累积剂量的严重影响。本文针对一种Buck型小功率DC/DC模块电源进行了电离辐照实验,研究结果表明:随着辐照剂量的增加,该类器件输出电压增大,输入电流增大和整体转换效率降低,且加偏辐照DC/DC模块电源更早出现上述参数退化,其低频噪声参量呈现出与电参数相似但幅度更大的退化趋势。进一步的研究结果表明,其内部的功率MOSFET辐照引起的阈值电压漂移是导致该类电源辐照后输出电压增加的主要原因。本文研究结果可为该类器件的抗辐照性能加固提供实验基础。 相似文献
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本文简要介绍了自行设计的小口径模拟装置(57-30MH)的结构及模拟的基本原理。通过53-30 MH对57mm高炮发射装药的模拟对比试验,对两种装置所得主要弹道指标(p_m、v_o)作了对比分析,并进一步对膛内p—t曲线进行统计处理,对特征参量做了比较分析。结果表明:小口径模拟装置模拟57mm高炮,预测发射装药弹道性能是可行的。 相似文献
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对DC/DC电源模块中的肖特基二极管进行了^60Co γ辐照实验,详细研究其正反向特性和1/f噪声的总剂量效应。实验发现,辐照没有明显引起正向特性变化,但使得反向击穿电压减小,漏电流变大,1/f噪声剧烈增加。基于隧穿效应的分析表明,发现辐照诱生新的界面态及界面态密度分布的变化调制了肖特基势垒高度,是引起器件性能退化主要原因。 相似文献
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针对功率MOSFET的单粒子效应(SEE)开展了工艺加固技术研究,在单粒子烧毁(SEB)加固方面采用优化的体区掺杂工艺,有效降低了寄生双极晶体管(BJT)增益,抑制了单粒子辐照下的电流正反馈机制。在单粒子栅穿(SEGR)加固方面,通过形成缓变掺杂的外延缓冲层来降低纵向电场梯度,减弱了非平衡载流子在栅敏感区的累积,并开发了台阶栅介质结构提升栅敏感区的临界场强。实验结果表明,经过加固的功率MOSFET在满额漏源工作电压和15 V栅源负偏电压的偏置条件下,单粒子烧毁和栅穿LET值大于75 MeV·cm2/mg。在相同辐照条件下,加固器件的栅源负偏电压达到15~17 V,较加固前的7~10 V有显著提升。 相似文献