不同粒径改性粉煤灰对磷酸根吸附性能的影响

废水排放过量的磷导致水体污染日益严重，将粉煤灰通过化学改性制备成了水化硅酸钙吸附剂，研究了改性吸附剂对磷酸根的吸附效果。利用XRD, SEM及BET比表面积等手段对粒度分级前后的吸附剂进行表征，研究不同粒级吸附剂对磷酸根的吸附性能，并考察其吸附机理。结果表明，不同粒级的吸附剂其化学成分出现了明显的偏析现象，孔隙结构也差异显著。相比其他粒径下的吸附剂颗粒，颗粒粒径在50?75 μm时，吸附剂中钙和硅含量较多，铝、铁和镁含量较低，水化硅酸钙组分含量最高，且伴有含铝的托贝莫来石晶体出现，钙离子的增加使其可以与更多的磷酸根结合形成沉淀。同时此粒径下具有较高的比表面积及孔隙度，疏松多孔的结构为钙离子提供更多活性位点。当使用粒径在50?75 μm的吸附剂吸附磷酸根时，磷的饱和吸附量可达到17.1 mg/g，比未分级的吸附剂高19.58%。     

Weh油田T2k组砂体微相纵横向分布特征研究

利用单井微相分析、训面微相分析和平面微相分析技术，研究了Weh油田T2k组地层砂体微相的纵横向分布特征，结果表明：①克上段地层为扇三角洲平原亚相沉积，克下段地层为扇三角洲前缘亚相沉积;②研究区顶、底部砂体微相的连通性好于中部；③微相砂体在平面上具有西北和东北方向两个物源；④克下段的辨状水道微相和克上段的水下河道微相与河口坝微相是研究区的有利相带。     

多功能杀菌剂的合成及其性能研究

在现有季铵盐类杀菌灭藻剂上增加一个脂键，连接一个有机酸基团，合成一种兼具阻垢缓蚀功能的新型工业水处理用杀菌灭藻剂(多功能杀菌剂)，经一系列评价实验表明：新型杀菌剂是较理想的杀菌剂，在较低浓度下，对硫酸盐还原菌(SRB)及腐生菌(TGB)均有很好的杀灭效果，优于1227杀菌剂，同时还具有较好的缓蚀阻垢效果。     

轻松入门摩托罗拉L7驱动安装全过程

摩托罗拉L7因其性价比较高拥有众多的拥护者。但是对于新手来讲。如何安装驱动和怎样解决驱动安装过程中出现的问题。是一件令人点头烂额的事。电脑上只有安装了L7驱动，才能更好地使用L7手机的各种实用软件，以实现诸如可以提高耳机听歌音量、突破摄像时间长度限制等多种功能。下面就详细谈一谈怎样在电脑上成功安装L7驱动。[编者按]     

江垭坝基帷幕化学补强灌浆技术研究

江垭水利枢纽工程大坝7、8坝段坝基帷幕在高水头动水条件下，应用CW系化学灌浆材料，成功研究开发了双向单动主动吸入气压式化学灌浆泵及相应的化学灌浆工艺技术，运用控制注浆理论并结合岩体微细裂隙开度研究分析化学浆材的扩散规律，通过施灌压力、注浆速率、注浆方式、浆材性能的综合优选，浆材经过高压慢渗、增粘固化，有效地解决了超细水泥反复灌浆处理均不能消除的坝基微细裂隙渗漏及渗流稳定的安全问题，改善了坝基水文、工程地质条件，创造了显著的社会效益和技术经济效益。‘     

高温高压下多种气体在储层岩心中吸附等温线的测定

利用自行研制的XF1型高温高压气体吸脱附测试仪,结合一台色谱分析仪(HP6890),一套抽真空系统,分别测定了N₂、CH₄、C₂H₆、C₃H₈、nC₄及其混合气体在三个岩心中的吸脱附等温线共计42条(单组分30条,累计测试点516个;混合气12条,累计测试点203个),以及吸附平衡后混合气的自由气相组成、吸附相组成和各组分的吸附等温线各48条(累计测试点431个).测试的温度为50.5℃.实验结果表明:①储层岩心介质对烃类气体的吸附现象是客观存在的,不容忽视;②仅就测试所得的数据来看,如果忽略其它因素,可以初步估计,不考虑吸附的砂岩储层气藏的计算储量将比考虑吸附少5%以上;③岩心-气体吸附体系的吸附能力除受压力影响外,更受到储层介质、岩石成分、结构和物性性质的影响,除此之外,还受到多组分气体中重烃组分数目、摩尔含量等的影响;④多组分气体组分相对吸附量能有效地表征多组分气体中各组分气体的竞争吸附能力大小,依据这个指标可将五元多组分气体体系中各组分气体按其竞争吸附能力由强到弱排序为nC₄>C₃H₈>C₂H₆>CH₄>N₂.     

中粮集团·烟台长城葡萄庄园评审会议在蓬莱召开

2002年9月25日，由中国酿酒工业协会，国家葡萄酒质量监督检测中心和蓬莱市人民政府主持，邀请30名国内知名专家，在蓬莱市召开了中粮集团烟台中粮葡萄酿酒有限公司葡萄庄园评审会议，会议听取了陈云昌总经理就这一项目所做的工作报告、葡萄基地部负责人所做的技术报告，在审阅有关资料和实地考察的基础上，与会专家就葡萄庄园的经营机制，管理模式展开了讨论和评议，一致认为：中粮集团·烟台长城的模式符合我国农业发展和农业产业化经营的要求，这种机制妥善解决了农工商之间的关系，保证了“烟台长城葡萄酒”的优质，并对全国葡萄酒原产…     

国外半导体发展的一些动向

近年来,国际半导体行业竞争剧烈,继美、日、西欧之后,一些国家和地区例如南朝鲜、台湾等纷纷崛起,力图挤入国际市场,倾销半导体产品。此外,由于受到全球性经济衰退的影响,半导体工业不景气的局面有所持续。以具有代表性的、被誉为“技术先驱”的产品——4兆位DRAM市场情况来看,1988年     

亚微米MOS场效应管的完全解析二维模型

本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解.采用一个微分算符将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份.自由载流子部份正是著名的刘维方程,具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解.将包含自由载流子影响的完全的二维电势分布用于亚微米MOS场效应管,得到了阈值电压的解析模型.它能很好地说明短沟道效应.本解析模型的特点是其完整性及简单性.它能很方便地用于器件模拟,也能推广到三维情况.