SiC量子点荧光材料光谱特性影响因素的研究

通过腐蚀法制备SiC量子点荧光标记材料,以硝酸和氢氟酸为腐蚀剂,通过超声空化破碎分散及超重力场层析剪裁,得到SiC量子点水相溶液,研究了制备工艺参数对光学特性的影响,结果表明,降酸清洗次数、超声时长对量子点光致发光峰值(荧光强度)的影响最为显著,而腐蚀剂成分及配比、超重力系数在一定程度上影响了其光致发光强度及发射光波长,同时腐蚀剂成分中氢氟酸含量的增加使得光致发光峰值位置发生红移,而超声时长及超重力系数的增加使得SiC量子点光致发光峰值位置发生蓝移。并对SiC颗粒腐蚀过程相关机制也进行了探讨。     

碳化硅量子点荧光标记串珠镰刀菌及其活体示踪

采用SiC量子点荧光标记与示踪技术,对串珠镰刀菌活体细胞进行荧光标记并实现了长时程荧光成像示踪,结果表明,碳化硅量子点标记的串珠镰刀菌活体细胞具有可调谐的荧光颜色,这是与其光学特性所决定的,即在不同激发光波长下呈现不同的荧光颜色;SiC量子点通过网格蛋白依赖的内吞方式进入活体细胞内部,实现了对串珠镰刀菌的稳定标记;同时这种标记由于量子点表面官能团与活体细胞的化学键耦合而显示出较强的抗漂白能力.