排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 781 毫秒
1
1.
2.
三氯氢硅还原反应是改良西门子法生产多晶硅的主要过程,本文对三氯氢硅还原反应进行分子模拟,采用密度泛函理论方法(DFT)研究了三氯氢硅还原成多晶硅的能量变化,对其分子结构进行优化,通过LST/QST方法计算多晶硅还原过程中可能出现的过渡态及能量的变化,得到过渡态TSa、TSb、TSc。结果表明,三氯氢硅还原反应通道Path a所得过渡态的活化能垒较低,过程进行较顺利。 相似文献
3.
4.
5.
1