排序方式: 共有10条查询结果,搜索用时 828 毫秒
1
1.
不同制备工艺对ZnS光学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
分别用真空热压、H2S模式的化学气相沉积以及S模式的化学气相沉积3种工艺方法制备了红外透过性能良好的ZnS材料.比较了不同的工艺过程对ZnS显微结构的影响,并且分析了不同制备方法形成的缺陷对光学性能的影响.探讨了热等静压工艺改善光学性能的原因和机理.透过谱图的测试表明,S模式的化学气相沉积法制备的ZnS具有最高的可见光至远红外的透过率.对3种方法制备的ZnS分别进行了热等静压后处理,发现对材料的光学透过性能都有不同程度的提高. 相似文献
2.
3.
为解决现有烟气炉燃烧不充分、炉膛蓄热能力差、出口烟气混合不均匀以及烟气混合段容易发红变形等问题,从燃烧器设计、内衬砌筑以及混合室结构进行了一系列优化,通过改进有效提高了烟气炉的热效率以及烟气系统的稳定性。 相似文献
4.
针对非完整移动机器人的路径光滑问题进行了研究.在传统的路径规划研究中,仅仅考虑某一或某些性能指标,如路径最短、运行时间最少等等,这样规划出的路径存在曲率不连续现象,不能直接用于移动机器人的路径跟踪.文中利用立方螺线作为过渡曲线,对原有路径进行修正,且修正过程中考虑机器人的最小转弯半径约束以及移动机器人的非完整约束,建立的过渡曲线不仅能够保证过渡点处的曲率连续,而且能较好地逼近原有路径.文章最后针对不同初始情况进行了计算,仿真结果表明了该方法的有效性. 相似文献
5.
6.
化学气相沉积法生长透明硒化锌多晶 总被引:3,自引:0,他引:3
采用化学气相沉积(CVD)法,在Zn-Se-Hz-Ar体系中生长了用于红外光学窗口的ZnSe透明多晶体。测定了ZnSe样品的XRD谱和红外透过光谱,用光学显微镜观察了样品的显微形貌;讨论了CVD工艺中生长参数对ZnSe晶体质量的影响。研究结果表明:通过优化的生长工艺,生长温度在500~750℃,压力在100~1500Pa的范围内,可以制备出高质量ZnSe多晶体;在8~12μm波段范围内,其红外透过率达70%以上。 相似文献
7.
8.
9.
10.
低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃~750℃,压力为300Pa~1000Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料。性能测试表明,制备出的CVDZnSe多晶材料在0.55μm~22μm,及8μm~14μm波段的平均透过率超过70%(1mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54nm/cm。其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近。 相似文献
1