浅谈ZnO压敏电阻器低压化

近几十年来,国内外有关ZnO压敏电阻器低压化的研究报道很多。本文对低压化的方法作了较为系统的归类及评述,并对其发展趋势作了初步探讨。     

ZnO压敏电阻器低压化浅谈

国内外有关ZnO压敏电阻器低压化方法方面的研究报道很多。本文在整理诸多文献资料的基础上，按照各种方法的理论依据对它们进行了较为系统的归类及评述，并对ZnO压敏电阻器低压化方法的发展趋势作了初步探讨。     

梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制

采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。