HFETR十年运行对公众辐射危害分析

根据高通量工程试验堆(HFETR)十年运行期间放射性流出物的排放量、剂量学模式与参数、以及危害估算模式,对堆址80km 范围内公众的有效剂量和辐射危害进行了计算和分析。辐射危害的最大个人危险1.34×10~(-10)—2.24×10~(-7),为可忽略的危害水平,且低于我国不同产业非辐射死亡的个人危险(10~(-5)—10~(-3));而群体危险8.45×10~(-7)—2.88×10~(-3)人·a~(-1),与堆址 80km 范围非辐射致死性癌症死亡人数(3.44—3.78)×10~3人·a~(-1)相比,也是可以忽略的。     

从安全工作区探讨IGBT的失效机理

本文阐述了各安全工作区的物理概念和超安全工作区工作的失效机理。讨论了短路持续时间Tsc和栅压Vg、集电极-发射极导通电压Vce（on）及短路电流Isc的关系。     

SMPS功率器件性能分析比较

对SMPS功率器件性能和一定应用条件下的fsm和Tj进行了计算分析，并给出了器件选择和应用的原则。     

橡胶增粘剂TKO系列的基本性质及其增粘作用

通过展示橡胶增粘剂非热反应型对叔辛基苯酚甲醛树脂ＴＫＯ系列的红外光谱特征及其溶解度，粘度，比热容，导热系数等热力学性质，研究其对ＮＲ，ＳＢＲ，ＢＲ未硫化胶的高效增粘作用和对硫化胶物理性能的影响，以证明ＴＫＯ系列产品与国外先进同类产品的一致性。     

De-chirp接收技术研究

从De-chirp接收技术的概念出发，对De-chirp接收技术进行了理论分析。就目标距离分辨率而言，得出了经De-chirp处理在频域上分辨和直接进行匹配滤波处理在时域上分辨等效的结果，同时给出了工程实践。     

脉冲堆周围环境放射性本底调查

本文给出了脉冲堆周围5km内空气、水、土、水体底质、陆生和水生生物、大气沉降物等环境介质的放射性本底值,还给出了10km范围内的外照射贯穿辐射的剂量水平。     

功率MOSFET的新进展

一、MOSFET发展回顾 功率MOS场效应管相对于双极功率晶体管的优点,已为世人熟知,已被许多用户接受。十年来世界晶体管市场,功率MOS管的份额,已从5％升至49.5％,本世纪末将占优势已成定局。     

橡胶增粘剂TKO系列产品开发及应用

TKO系列产品为对—特辛基苯酚甲醛树脂。试验表明,其增粘性能比C—H结构的石油树脂高1倍多;增粘作用之有效性、产品质量与性能均达到国外同类产品的先进水平。代表产品TKO(1)—90之粘合性研究对实际使用具有指导意义。     

氮化硅对器件钝化作用的研究

SiH_4-N_2系等离子增强化学气相淀积方法生长SiN(PECVD法),我们用这种方法对器件进行了钝化,并对钝化前后的器件性能进行了研究,结果表明:SiN对半导体器件具有良好的钝化效果。