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利用1.5 Me V Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了不同辐照条件和退火工艺对器件击穿特性的影响,并对不同生产厂家的产品辐照结果进行了比较。结果表明:电子辐照可将晶体管的V(BR)CEO提高约30 V,对V(BR)CBO影响较小,辐照后的器件在200℃以下击穿电压热稳定性好,满足贴片封装及高温贮存实验要求,辐照工艺可作为V(BR)CEO不合格芯片的一种补救方法。并在理论上对辐照效应进行了讨论和分析。 相似文献
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通过对传统提取工艺及设备的概述,分析了中药材在传统提取过程中的不足之处,介绍了动态超声提取罐所采用的结构,工作原理和关键部件的优化设计对中药材提取的积极作用。 相似文献
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研究了辐照电子直线加速器辐射剂量测定的技术方法,在测量方法上采取实测与蒙特卡洛模拟计算相结合的方法提高辐射剂量测定的准确度和可操作性;用化学剂量计建立电子束吸收能量测量的方法;用平板电离室建立电子束表面剂量、电子束吸收剂量率测量的方法;用半导体探测器阵列建立电子束辐照均匀性测量的方法。 相似文献
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虚拟演播室系统中不论渲染、控制计算机做出了多出色的工作,因输出给色键器的仅仅为一幅简单的电视画面,实际就是将两层画面合成,采用这种原理的系统绝对不可能超出两维的概念;真三维虚拟演播室系统的每个模块根本没有层的概念。 相似文献
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应用电子束射线对单向微触发可控硅晶圆片进行不同条件的辐照,使用晶体管图示仪测试其门极触发电流和通态电压,研究了辐照剂量、剂量率对门极触发电流和通态电压的影响,使用不同的退火工艺对辐照后的可控硅进行退火实验,监测其退火后参数的变化。实验表明,门极触发电流随辐照剂量的增加而迅速增大,辐照剂量在20 k Gy以下时,通态电压基本没有增加;门极触发电流在可控硅约225℃以下退火时,存在反退火现象,继续提高退火温度又表现出正常的退火结果;1.5 Me V电子辐照技术不仅能有效提高可控硅门极触发电流,还能提高晶圆片门极触发电流的一致性。 相似文献