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利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文介绍了在PECVD系统中利用逐层生长技术(LayerbyLaver)沉积硅薄膜,薄膜在衬底温度只有250℃的情况下已晶化.本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析,并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究.  相似文献   
2.
本文研究了包钴磁粉的磁热稳定性。主要考查了剩磁、各向异性常数的温度稳定性以及剩磁随时间的磁热弛豫现象,掺杂Mn2+、Zn2+离子对于包钻Y-Fe2O3超细磁粉的磁热稳定性具有明显的影响。发现同时掺杂Mn2+、Zn2+离子可以改善包钴磁粉的磁热驰豫,降低驰豫的指数前因子  相似文献   
3.
4.
基于液相化学共沉淀法合成超细BaTiO3粉末,研究了制备PTC BaTiO3陶瓷的成瓷技术。利用XRD和SEM分析手段,对制备的BaTiO3陶瓷的结构进行了表征。对于影响BaTiO3陶瓷的主要性能,如致密化、PTC效应和半导化性能的工艺参数进行了较为详细的研究和讨论。  相似文献   
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