一种用于温补晶振的EEPROM修调电路设计

设计了一种用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的数字修调电可擦除只读存储器(EEPROM)电路.该电路具有正常工作模式和RAM WRITE、EEPROM WRITE、EEPROM READ三种测试模式,用于TCXO中模拟补偿电压的修调.在SMIC 0.35μm工艺下,采用HSPICE工具对设计的电路进行了仿真与验证,结果表明该电路具有可靠性高和功耗低的优点.     

CVD金刚石膜场致发射的机理

金刚石膜场致发射过程是电子从导电基底开始,经基底/金刚石界面、金刚石薄膜体内传输到表面,然后穿过表面势垒进入真空、经真空电场加速到达阳极的一个复杂过程。对该过程进行了较为详细的分析和介绍。     

退火温度对ZnO:Al透明导电薄膜结构和性能的影响

采用溶胶-凝胶法(sol-gel)在普通载玻片上制备了ZnO∶Al薄膜,在200～600℃下退火.利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,退火温度在300℃以上,薄膜开始结晶,400℃以上,薄膜出现明显结晶,且沿(002)方向择优取向,随着退火温度升高,(002)峰的强度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增加;薄膜在可见光范围内的透过率均＞85%以上,退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高,光学带隙在3.32～3.54eV,且随着温度的升高而降低;薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低,但是仍较高,在103俜cm量级.     

用于8051微控制器的片上调试系统的硬件设计

为工业用8051微控制器设计了一个片上调试系统,将调试功能集成到单片机芯片内部。该系统基于专用集成电路的设计流程设计,不仅具有控制8051单片机挂起、正常运行、单步运行和指令跳转的能力,而且能够读写片内寄存器、内外部数据,程序存储器、特殊功能寄存器的值,并能在其中设置硬件断点。该调试系统使用比工业上的JTAG标准接口占用空间更少的三线接口作为其和计算机的连接通道。系统在Xilinx的xc3s400 FPGA上完成功能验证,利用SMIC 0．18μm工艺库完成版图设计。结果表明,系统有效解决基于传统软件调试和仿真器调试方式的弊端,并能省去用户购买商业仿真器的调试花费,减少调试成本,提高调试效率。提出的设计方法同样适用于其他微控制器片上调试系统的设计。     

射频功率对非晶硅薄膜光电性能的影响

采用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术,在Coming Eg 2000玻璃上制备非晶硅薄膜,研究了射频功率对薄膜光电性能的影响.结果表明:通过调节功率可获得具有高折射率,高吸收系数,低暗电导率的非晶硅薄膜.     

1,4-环己烷二甲醇改性PBT共聚酯的热性能研究

以对苯二甲酸(PTA)、1,4-丁二醇(BD)和1,4-环己烷二甲醇(CHDM)为主要原料,制备了一系列CHDM改性聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)共聚酯。采用差式扫描量热仪(DSC)和热重分析仪(TGA)等分析方法测试了共聚酯的性能,研究了不同CHDM含量对共聚酯热性能和结晶性能的影响。结果表明:随CHDM含量的增加,共聚酯玻璃化转变温度逐渐升高;共聚酯的熔点先降低后升高,CHDM/PTA摩尔比为40%时熔点最低;随CHDM含量的增加,共聚酯的结晶性能逐渐减弱。     

磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响

利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明:溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为88.21%、电阻率为8.28×10-4Ω.cm)。