高Si掺杂RuO_2材料的晶体结构、电子结构和导电性

通过密度泛函理论(density functional theory,DFT)的第一性原理,研究了高Si掺杂的(Ru1-x Six)O2(x=0、0.125、0.25、0.375、0.5)固溶体材料的晶体结构特征;对采用热分解制备的Si掺杂Ru O2的相分析,证实了通过合适的热分解工艺,可以实现高浓度Si的代位掺杂;能带结构研究显示,高Si掺杂Ru O2材料始终保持金属特性;态密度分析表明,Si可以提供少许Si-3p电子,但导电主体仍来自Ru-4d与O-2p电子;高Si掺杂(Ru1-x Six)O2的电导率随Si掺杂量的变化符合一阶指数衰减趋势。     

高Si掺杂RuO2材料的晶体结构、电子结构和导电性

通过密度泛函理论（density functional theory,DFT）的第一性原理,研究了高Si掺杂的（Ru_1-xSi_x）O₂（x=0、0.125、0.25、0.375、0.5）固溶体材料的晶体结构特征;对采用热分解制备的Si掺杂RuO₂的相分析,证实了通过合适的热分解工艺,可以实现高浓度Si的代位掺杂;能带结构研究显示,高Si掺杂RuO₂材料始终保持金属特性;态密度分析表明,Si可以提供少许Si-3p电子,但导电主体仍来自Ru-4d与O-2p电子;高Si掺杂（Ru_1-xSi_x）O₂的电导率随Si掺杂量的变化符合一阶指数衰减趋势。     

超声浸提浊度法测定铁矿中水溶性氯化物

铁矿试样加水用超声浸提,干过滤。在碱性条件下,用过氧化氢消除硫化物的干扰。硝酸酸化后,加入表面活性剂十二烷基硫酸钠,在室温下用氯化银浊度法测定水溶性氯化物。氯在0.2~5mg/L范围内校准曲线相关系数大于0.999,方法检出限为0.003%;按照实验方法测定铁矿样品中水溶性氯化物,结果相对标准偏差(RSD,n=6)小于5%,加标回收率在98%~102%之间,与国标法的测定结果基本吻合。     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定金属阳极涂层中钌和铱

在500~550℃马弗炉中采用氢氧化钾-硝酸钾熔融样品1h,热水浸出熔融物后加盐酸酸化,选择Ru 240.272nm、Ir 212.681nm为分析线,通过基体匹配法配制标准溶液系列消除基体效应的影响,采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定溶液中钌和铱,由此建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法测定金属阳极涂层中钌和铱的分析方法。钌和铱在0.50~10mg/L范围内,其校准曲线线性相关系数均大于0.999;钌和铱的检出限分别为0.03和0.09g/m~2。按照实验方法测定金属阳极涂层样品中钌和铱,结果的相对标准偏差(RSD,n=10)分别为0.69%和1.5%,与原子吸收光谱法(AAS)的测定结果基本吻合。     

氢化物发生-原子荧光光谱法同时测定钼铁中的锑和锡含量

采用硝酸溶解样品,在盐酸介质中,用硫脲-抗坏血酸作掩蔽剂,以硼氢化钾作为还原剂,采用双道原子荧光光度计同时测定锑和锡。并对还原剂浓度、酸度、预还原时间、基体及干扰元素的影响进行了试验研究。试验表明,锑和锡在0~10μg/L范围内,其校准曲线线性相关系数均大于0.999;锑和锡的检出限分别为0.052μg/L和0.23μg/L。按照试验方法测定钼铁标准样品中锑和锡,结果与认定值基本吻合,相对标准偏差(RSD,n=6)均不超过5%。与分光光度法的对照试验结果满意。     

Ta掺杂IrO2活性氧化物电子结构的DFT分析

Ta掺杂的Ir-Ta-O是电化学工业中具有代表意义的电极材料。采用基于密度泛函理论(DFT)的投影缀加平面波中的广义梯度近似方法,对金红石型Ir8O16和Ta掺杂的Ir7Ta1O16复合氧化物的晶体和电子结构进行计算。结果表明,IrO2的结构数据与文献报导相吻合。掺 Ta的Ir7Ta1O16存在2种不同结构,二者晶体结构参数、系统总能和电子结构很接近。Ta掺杂可使Ir8O16晶胞体积增大,使体系相对稳定。掺Ta的(Ir,Ta)O2与IrO2类似,也体现金属的导电特性。Ta原子比Ir原子失电子能力强,掺杂后Ta原子周围的电子向O原子转移,为体系提供了更多的离子键。