排序方式： 共有11条查询结果，搜索用时 171 毫秒
1.
2.
超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进 总被引：1，自引：0，他引：1
通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。 相似文献
3.
4.
Tribological behavior of different films on Ti-6Al-4V alloy prepared by plasma-based ion implantation 总被引：3，自引：0，他引：3
1 ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＴｉ 6Ａｌ 4Ｖａｌｌｏｙｉｓｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｉｎａｖｉａｔｉｏｎ ,ｓｐａｃｅａｎｄｍｅｄｉｃａｌｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓｂｕｔｒｅｓｔｒｉｃｔｅｄｔｏｔｒｉｂｏｌｏｇｉｃａｌａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｔｏａｃｅｒｔａｉｎｅｘｔｅｎｔ[1,2 ] .Ｔｈｅｕｓｅｏｆａｎｅｗｃｏｓｔ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ,ｐｌａｓｍａ ｂａｓｅｄｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａ ｔｉｏｎ (ＰＢＩＩ) ,ｆｏｒｉｍｐｒｏｖｉｎｇｓｕｒｆａｃｅ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｂｙｆｏｒｍｉｎｇＴｉＮ ,ｃａｒｂｉｄ… 相似文献
5.
1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＰｏｏｒｓｕｒｆａｃｅ ｒｅｌａｔｅｄｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｓｕｃｈａｓｔｒｉｂｏｌｏｇｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｙｈａｖｅｒｅｓｔｒｉｃｔｅｄｔｈｅｆｕｒ ｔｈｅｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＴｉ 6Ａｌ 4Ｖａｌｌｏｙｕｓｅｄｉｎａｖｉａｔｉｏｎａｎｄｓｐａｃｅｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｓｔｒｕｃ ｔｕｒａｌｐａｒｔｓａｎｄｉｎｍｅｄｉｃａｌｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｔｏｔａｌｊｏｉｎｔｒｅｐｌａｃｅｍｅｎｔｓｄｕｅｔｏｉｔｓｕｎｉｑｕｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｏｆｄｅｓｉｒａｂ… 相似文献
6.
7.
介绍了Ｔｉ６ｌ４Ｖ合金氮离子注入的背景，比较了离子束离子注入及等离子体工离子注入氮，综述了注入层成分、组织结构、硬度、摩擦系数及磨损性能变化的研究进展，总结到了目前为止得出的规律，探讨了变化的可能机理。并对今后的研究方向作了展望。 相似文献
8.
介绍了软件无线电的基本结构，研究了新一代可编程片上系统（system on a programmable chip，SOPC）的特征，提出了基于新一代SOPC的软件无线电资源共享自适应结构，给出了采用这种结构的感知信道衰落、调制方式自适应的软件无线电系统实例，这种结构有望成为软件无线电及感知无线电（cognitive radio）的支柱技术之一。 相似文献
9.
0 ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＰｌａｓｍａ ｂａｓｅｄｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ (ＰＢＩＩ)ｏｆｎｉｔｒｏｇｅｎｉｓｒｅｐｏｒｔｅｄｔｏｂｅａｖｅｒｙｃｏｓｔ ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｆｏｒｓｕｒｆａｃｅｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆＴｉ 6Ａｌ 4Ｖａｌｌｏｙ[1～ 4 ] .Ｆｕｔｕｒｅｗｏｒｋｒｅｍａｉｎｓｔｏｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅｏｎｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇｔｈｅｅｘａｃｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｗｈｅｎａｐｐｌｉｅｄｔｏｔｈｅａｌｌｏｙ[2 ] .Ｆｏｒｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａ… 相似文献
10.