钙掺杂二氧化钛纳米纤维的制备及其光催化性能

以乙酸钙为钙源,钛酸异丙酯为钛源,采用静电纺丝和溶胶-凝胶法制备了不同Ca~(2+)掺杂浓度的Ti O_2纳米纤维光催化剂,利用XRD和SEM等手段对样品结构和形貌进行了分析和表征,研究发现Ti O_2纳米纤维主要为锐钛矿结构并含少量的金红石结构。同时,通过对水溶性罗丹明B的光降解反应,考察了Ti O_2纳米纤维催化剂的光催化活性。研究结果表明:Ca~(2+)掺杂可有效提高Ti O_2纳米纤维对水溶性罗丹明B的光催化活性,其中当Ca~(2+)为最佳掺杂浓度5 at%,Ti O_2用量为1.2×10~(-2 )g/L,紫外光照射100 min条件下,Ti O_2样品对浓度为1×10~(-5 )mol/L罗丹明B的降解率可达95%。     

对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结

本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(pc-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层(n+-a-Si),最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si膜(包括i-a-Si和n+-a-Si)晶化程度以及p-n结深度的影响,利用拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)仪、台阶仪、扫描电镜(SEM)等对a-Si膜进行表征,并利用金相显微镜测量p-n结(采用磨角染色法染色)深度,从而获得制备p-n结的最佳扩散温度和时间。     

采用Si1-xGex渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析

利用超高真空磁控共溅沉积系统在Si(100)衬底上溅射Ge组分渐变的Si_(1-x)Ge_x缓冲层,并在其上制备Ge薄膜,采用快速热退火(RTA)对Ge薄膜进行退火处理。采用X薄膜表征。结果表明:使用该方法制备的Ge800℃,110 s的退火条件下随衬底温度的升高,Ge500℃时磁控溅射沉积的Ge薄膜,经800℃,110 s尺寸达到41 nm,为后续替代锗单晶作为多结电池衬底材料打下良好的基础。