压制压力对多孔TiAl合金孔结构及过滤性能的影响

以Ti、Al混合粉末为原料，通过反应烧结制备TiAl金属间化合物多孔过滤材料，分析压制压力对孔隙率、最大孔径及渗透系数的影响。结果表明：随着压制压力从90MPa增加到375MPa时，总孔隙率呈“急剧减小-平缓减小-平缓减小-平缓减小”的变化趋势，开孔隙率呈“急剧减小-平缓减小-显著增大-急剧减小”的变化趋势，最大孔径呈“急剧减小-减小-减小-减小”变化，而渗透系数呈“急剧减小-平缓减小-平缓增大-急剧减小”的变化。综合考虑压制压力对孔隙率、最大孔径及渗透系数的影响，当压制压力为250MPa时，TiAl合金烧结坯具有较大的开孔隙率、较小的孔径和较大的渗透系数。改变颗粒之间的间隙大小及数量，从而影响反应造孔和孔隙长大，是压制压力影响孔隙率、最大孔径的机制。     

钼粉的制备技术及其发展

介绍了普通钼粉以及近年来应用于特殊用途的超细钼粉和纳米钼粉的制备原理、工艺流程、粉末特征等,比较了不同制备方法的优缺点。     

氢气分离技术的研究现状

高纯氢气的制取已经成为21世纪材料领域的研究热点之一,而氢气分离技术作为制取高纯氢气的一个关键环节,尤为引人注目.介绍了氢气分离方法的原理、特点、应用和研究现状,探讨了氢气分离方法的现存问题及发展前景.     

MEMS加速度计三维堆叠模块化封装及垂直互连

传感器系统微小型化的发展趋势是将各功能模块进行三维模块化集成.本研究将加速度计芯片及调制解调电路进行三层堆叠模块集成.其中,各层模块的组装采用了FR4基板上的COB工艺,而垂直互连采用了一种新型的垂直定位装置进行定位和回流焊,实现了加速度计和调制解调电路的三维堆叠模块化封装结构.该结构成功把MEMS器件与IC芯片混合集成在同一模块里;采用了一种新的定位销/孔的定位方式,可同时进行3×3个模块的高精度堆叠定位(其对位误差约0.068mm);通过丝网印刷焊膏,一次回流焊接完成堆叠模块的垂直互连,互连强度高(单个焊点平均强度为30～40MPa);封装体积小(整个加速度计调制解调系统封装后的体积为19×19×8mm3).还讨论了垂直互连的影响因素.对模块进行的剪切力测试表明采用印刷焊膏回流实现垂直互连的强度满足相关标准.     

不锈钢多孔材料过滤性能影响参数的实验研究

以气雾化奥氏体316L不锈钢细球形粉末为原料, 采用粉末冶金法, 制备成尺寸为d32 mm×2 mm的圆片状过滤材料。研究了烧结工艺及压制压力对烧结坯过滤性能的影响, 包括开孔隙率、最大孔径及其透气度。实验确定了如下最佳工艺参数: 烧结温度950℃, 保温时间1 h, 压制压力200 MPa; 在此条件下得到的多孔不锈钢过滤材料的开孔隙率为23.8%, 最大孔径为2.52μm。在100 kPa压力下该材料的透气度可达5.63 m3/(h·kPa·m2), 抗拉强度σb 达113.6 MPa。     

微尺寸SnAg凸点中孔洞生长机理的研究

采用电镀的方法在制备了尺寸小于100 μm的Sn-3.0Ag凸点,研究了多次回流和时效过程下SnAg/Cu界面IMC的生长、孔洞的生长机理和分布以及影响因素.结果表明,回流过程中孔洞彤成的主要原因是相变过程发生的体积缩减,而时效过程中孔洞形成的主要原因是柯肯达尔效应.时效过程中Cu3Sn(ε相)中孔洞的生长及分布受初始形成的Cu6Sn5(η相)影响.厚η相及η晶界处形成的孔洞促进ε相中孔洞的生长.平直的ε相/Cu界面以及ε相层内孔洞的连接对凸点的长期可靠性构成威胁.     

钼粉的制备技术及其进展

介绍了普通钼粉以及近年来应用于特殊用途的超细钼粉和纳米钼粉的制备原理、工艺流程 ,粉末特征等 ,比较了不同制备方法的优缺点     

铸铁渗铝工艺的研究进展

渗铝基本上是在上世纪末和本世纪初发展起来的一种化学热处理工艺,它既可以提高基体材料的抗高温氧化性能,还能提高基体材料在一些酸、碱或含硫等介质中的耐蚀性能。渗铝工艺在工业上已得到广泛应用,如用于汽车排气管、公路护栏等耐蚀件,换热器、燃烧器、吹氧管、退火罐等耐热件。针对目前国内外铸铁渗铝的研究进展进行了综述,对渗铝工艺、渗铝层的组织与相成分、渗层的形成过程及其性能和影响因素等进行了讨论,着重对热浸渗铝工艺进行了介绍。     

微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性

用电镀法制备了尺寸小于100μm的面阵列Sn-3.0Ag凸点.芯片内凸点的高度一致性约1.42%,Φ100mm硅圆片内的高度一致性约3.57%,Ag元素在凸点中分布均匀.研究了不同回流次数下SnAg/Cu的界面反应和孔洞形成机理,及其对凸点连接可靠性的影响.回流过程中SnAg与Cu之间Cu6Sn5相的生长与奥氏熟化过程相似.SnAg/Cu6Sn5界面中孔洞形成的主要原因是相转变过程中发生的体积缩减.凸点的剪切强度随着回流次数的增多而增大,且多次回流后SnAg/Cu界面仍然结合牢固.Cu6Sn5/Cu平直界面中形成的孔洞对凸点的长期可靠性构成威胁.     

微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性

用电镀法制备了尺寸小于100μm的面阵列Sn-3.0Ag凸点.芯片内凸点的高度一致性约1.42%,Φ100mm硅圆片内的高度一致性约3.57%,Ag元素在凸点中分布均匀.研究了不同回流次数下SnAg/Cu的界面反应和孔洞形成机理,及其对凸点连接可靠性的影响.回流过程中SnAg与Cu之间Cu6Sn5相的生长与奥氏熟化过程相似.SnAg/Cu6Sn5界面中孔洞形成的主要原因是相转变过程中发生的体积缩减.凸点的剪切强度随着回流次数的增多而增大,且多次回流后SnAg/Cu界面仍然结合牢固.Cu6Sn5/Cu平直界面中形成的孔洞对凸点的长期可靠性构成威胁.