BSIM4和ULTRA-BULK模型对称性和连续性的检验

以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的ULTRA-BULK两个CMOS器件模型的对称性和连续性特性。SPICE模拟结果表明:工业标准模型BSIM4在电荷、电流高阶导数以及电容等的连续性和对称性上具有一系列的缺陷,而最新发展的基于表面势的MOSFET解析模型ULTRA-BULK却表现出必需的连续性和对称性。既然这些属性对于模拟电路和射频电路设计都是非常重要的,那么新一代CMOS模型采用基于表面势的各种MOSFET解析模型将是必然的发展。     

BSIM4和ULTRA-BULK模型对称性和连续性的检验

本文以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的ULTRA-BULK两个CMOS器件模型的对称性和连续性特性。SPICE模拟结果表明: 工业标准模型BSIM4在电荷,电流高阶导数以及电容等的连续性和对称性上具有一系列的缺陷,而最新发展的基于表面势的MOSFET解析模型ULTRA-Bulk却表现出必需的连续性和对称性. 既然这些属性对于模拟电路和射频电路设计都是非常重要的, 那么新一代CMOS模型采用基于表面势的各种MOSFET解析模型将是必然的发展.     

(CNTs)/AZ91复合材料的制备和机械性能研究

采用搅拌铸造法制备碳纳米管增强镁基复合材料(CNTs)/AZ91,测试复合材料在铸态T4态和T6态的机械性能,并对材料的微观组织进行观察和分析。研究了碳纳米管的加入对复合材料机械性能的影响规律,细致的研究了材料本身成分的影响,特别是铝含量对复合材料机械性能的影响。研究发现加入碳纳米管后材料强度有所提高,然而塑性却下降了,当铝含量增加时,复合材料的弹性模量有所提高,而热处理则使材料的弹性模量有一定程度的下降,为生产及科研提供了参考依据。     

我国工业工程专业教育研究

介绍了工业工程(IE)专业在我国的办学现状,讨论了与IE专业教育紧密相关的3个学科特点：交叉性,拓展性、综合优化性,结合IE专业教育的比较分析,指出了我国IE专业教育在课程设置、教育方法和手段、实践环节等方面存在的问题,最后提出了推进我国IE专业教育发展的几点意见。     

裹包青贮饲料技术应用现状及制作规程研究

裹包青贮是目前最受欢迎的一种青贮制作和保存技术,我们对裹包青贮的优缺点、国内外应用现状、材料与影响因素进行了综述,详细研究了拉伸膜裹包青贮技术及规程,以期为裹包青贮在我国草食家畜饲养中的进一步应用提供借鉴和参考。     

栅藻Desmodesmus sp. SNN1处理生活污水及油脂积累研究

利用生活污水培养微藻可去除污水中的氮、磷等污染物,有效缓解水体富营养化,生活污水培养微藻可以实现水质净化和生物质生产耦合。文章以前期筛选的栅藻Desmodesmus sp. SNN1为目标藻种,研究了初始pH、初始接种量等条件对生活污水处理及油脂积累的影响,并优化了培养条件。结果表明：栅藻Desmodesmus sp. SNN1处理生活污水最佳条件为初始pH=9.0、微藻初始接种量=0.6,在此条件下培养12 d后污水的化学需氧量、氨氮、总氮、总磷的去除率分别为47.98%、99.93%、97.29%和97.13%,最终生物量可达1.34 g/L;微藻生产油脂的最佳培养条件为初始pH=9.0、初始接种量=0.1,在优化条件下培养12 d后,油脂比例和油脂产量分别为29.54%、291.33 mg/L。     

一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型

提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型. 针对无掺杂对称双栅MOSFET结构，该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来. 发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅 MOSFET所有的工作区:从亚阈到强反型和从线性到饱和区,不需要任何额外假设和拟合参数. 模型的预言结果被2D数值模拟很好地验证，表明该解析模型是一个理想的双栅MOSFET建模架构.     

一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型

提出一种全新的基于载流子求解的双栅MOSFET解析模型.针对无掺杂对称双栅MOSFET结构,该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来.发展的解析模型完全基于MOSFET的基本器件物理进行直接推导,结果覆盖了双栅MOSFET所有的工作区:从亚阈到强反型和从线性到饱和区,不需要任何额外假设和拟合参数.模型的预言结果被2D数值模拟很好地验证,表明该解析模型是一个理想的双栅MOSFET建模架构.     

对表面势为基础的MOSFET片电荷模型的基本检验

本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷(charge-sheet)模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验.相对于以基本的MOSFET器件物理为基础的Pao-Sah模型结果,大多数片电荷模型在不同的工作区域内都会出现不同程度的反型层电荷计算误差.为了模拟沟道电流,MOSFET片电荷模型必须使用一个半经验的沟道电流方程.这个近似会导致沟道电流方程和反型层电荷方程之间物理上的不自恰,从而使计算的沟道电流结果与Pao-Sah模型相比有近10%的误差.这些基本的检验结果表明:为了保持基本的MOSFET器件物理内容和Pao-Sah模型的高精度,以表面势为基础的片电荷模型还需要一些根本的器件物理改进和进一步的模型精度提高.