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新型封装堆叠(PoP)封装存储器的结构与常规封装不同,导致现行破坏性物理分析方法不完全适用于新型PoP存储器。对新型PoP存储器结构分析,找出了影响新型PoP封装存储器可靠性的典型缺陷。以某型号PoP封装存储器为例,运用3D-X-ray、金相切片、叠层芯片分离、非顶层芯片内部检查等关键技术,提出了一套适用性强、效率高的综合性破坏性物理分析方案,并通过实例验证了新型PoP封装存储器可靠性评估方法的有效性,同时也为后续标准的修订及其他先进封装器件的破坏性物理分析提供依据和帮助。 相似文献
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基于枝节加载嵌套型开环谐振器(SLNSRR)设计了一款阻带抑制提升的高频率选择性平衡滤波器,
并且设计了超低相位噪声差分振荡器。借助于混合电磁耦合技术,平衡滤波器在临近通带高端处具有一个传输零
点使得滤波器群时延得以提高,有效地提升所设计振荡器的相位噪声性能。为了验证该方法的可行性,设计、加工
并且测试了基于SLNSRR 平衡滤波器的差分振荡器。测试结果表明振荡频率为2. 004 GHz,拥有稳定的反向振荡信
号输出,每一个端口的输出功率为9. 29 dBm。在偏离载波100 kHz 和1 MHz 处拥有优异的相位噪声性能,分别达
到了-129. 09 dBc/ Hz 和-146. 70 dBc/ Hz。在基于平面混合集成电路工艺相似频率范围内的众多先进振荡器中,
此款振荡器的相位噪声性能是表现最佳的差分振荡器之一。 相似文献
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在施加不同磁场强度及方向的稳恒磁场环境中,采用离子束溅射沉积法,在玻璃衬底上制备SmFe-B超磁致伸缩薄膜(GMF)。使用LS-7010M-KC激光微位移传感器与交变梯度磁强计(AGM)分别测试薄膜悬臂梁磁偏转量与磁滞回线,以研究制备时施加稳恒磁场对薄膜磁致伸缩性能及软磁性能的影响。利用微磁学软件OOMMF,模拟研究了在外加相同实验磁场强度下,施加不同稳恒磁场强度对Sm-Fe-B薄膜磁矩分布的影响。实验研究结果表明,施加稳恒磁场下制备的薄膜样品,其饱和磁致伸缩性能明显优于无磁场环境所制备的样品;在实验条件下,薄膜样品的磁致伸缩性能随着施加稳恒磁场强度的增大而提高。模拟与实验研究结果均表明,Sm-Fe-B GMF的易磁化轴与沉积过程中所施加的稳恒磁场方向一致。在特定的悬臂梁结构应用中,薄膜沉积过程中通过改变施加不同稳恒磁场方向与其强度大小,可获得达到所需易磁化轴方向且具有较大磁偏转量的薄膜元件。 相似文献
5.
采用离子束溅射沉积法在不同预应变衬底上制备Sm-Fe-B超磁致伸缩薄膜(GMF)。使用LK-G150激光微位移传感器与交变梯度磁强计(AGM)分别测试薄膜悬臂梁自由端偏转量与磁滞回线,以研究衬底预应变对薄膜磁致伸缩性能及软磁性能的影响。研究结果表明,在预应变衬底上所制备薄膜样品的低场磁敏性明显优于无预应变衬底上镀膜所获样品,且矫顽力较无衬底预应变样品减小;张预应变衬底上镀膜所获样品长、短轴方向磁滞回线之间差异变大,磁各向异性增强,易磁化轴位于长轴方向;而压预应变衬底上镀膜所获样品长轴与短轴方向磁滞回线之间差异减小,磁各向异性减小。 相似文献
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压应力对Sm-Fe-B磁致伸缩性能的改善有重要影响,但是其大小对磁致伸缩特性变化趋势的研究很少,而且还未见到压应力对磁各向异性影响的报道。本文利用特制夹具,使玻璃衬底在镀膜过程中受到不同应力作用,镀膜结束后,当玻璃衬底从夹具取下后,利用其恢复到原来状态,可以对稀土Sm-Fe-B薄膜产生压应力作用。通过调整夹具使衬底具有不同的预应力,可得到受到玻璃衬底不同压应力大小作用的薄膜样品。利用LK-G150激光微位移传感器与交变梯度磁强计（AGM）分别测试薄膜悬臂梁自由端偏转量与磁滞回线,以研究具有不同压应力对薄膜的磁致伸缩性能的影响,并且利用磁力显微镜（MFM）测试了薄膜样品垂直表面的磁畴分布情况。实验结果表明：受到压应力作用的薄膜易磁化轴都位于膜面内,以面内各向异性为主,磁畴结构基本分布在面内。随着压应力的增加,易磁化轴由膜面内的短轴转向膜面内的长轴,这一转变有利于器件的设计,但是磁畴在垂直膜面方向略有提高,薄膜的低场磁致伸缩性能也随着压应力的增大而有显著提高。 相似文献
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