MgZnO薄膜的准分子激光晶化（英文）

利用KrF准分子激光,在室温下对PLD法制备的MgZnO薄膜进行激光退火处理,研究了激光能量密度为50~167 mJ/cm~2时对薄膜结晶性能的影响,并用XRD、AFM、透射光谱等测试手段对薄膜进行表征。结果表明,在能量密度为125 mJ/cm~2时,薄膜具有最佳结晶效果。由于激光具有良好的可控性,可以实现区域选择性退火。本实验为维持较低的基底温度下实现MgZnO薄膜的退火处理提供了参考。     

基于PLD法制备的MgZnO薄膜紫外传感器的研究

用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300 ℃～600℃制备了MgZnO薄膜.由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600 ℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量.在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,...     

光折变晶体的光电导及陷阱密度

通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体CuKNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10 A·m-2.实验得到光电导与入射光强是指数约为b=0.8的亚线性关系,从而得到满陷阱与空陷阱之密度比的定量表示式为(CCu+/CCu2+)=αIb-1.在观测的波长范围内,b随着波长缩短而增大.     

LD端面泵浦薄片式Yb∶YAG激光器研究

利用光纤耦合InGaAs半导体激光器作抽运源,研制一台端面泵浦薄片式全固态Yb∶YAG激光器.使用掺杂浓度为6%的Yb∶YAG晶体,在泵浦功率20 W时,基于平-凹腔获得2.6 W的TEM00模1 030nm连续激光输出,光束发散角为10 m rad,阈值为3.2 W,光光转换效率为13%,斜效率为18.6%.     

温度对PLD法制备CIGS薄膜性能的影响

利用脉冲激光沉积（PLD）法在40~600 ℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒（CIGS）薄膜。利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征。结果表明,薄膜都以（112）择优取向生长,在40~400 ℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显;温度达到600 ℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加。认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因。     

新型高非线性光学系数三硼酸铋(BiB3O6)晶体频率变换特性研究

理论计算了新型高非线性光学系数三硼酸铋晶体（BiB3O6）中的频率变换,分别给出了晶体中二次谐波产生（SHG）、三次谐波产生（THG）以及光参量振荡（OPO）的一类和二类相位匹配方向,以及相应的有效非线性光学系数（deff）随方位角的分布,给此类光学频率变换器件的设计以及检测提供了有益的参考。     

光折变晶体的光电导及陷阱密度

通过分析体全息光栅的读取过程,得到光折变晶体Cu:KNSBN的光电导在入射光强为5×104W/m2时的典型值为σph=3.01×10-10A·m-2。实验得到光电导与入射光强是指数约为b=0.8的亚线性关系,从而得到满陷阱与空陷阱之密度比的定量表示式为(CCu+/CCu2+)=αIb-1。在观测的波长范围内,b随着波长缩短而增大。     

适于PAL电视制式的激光扫描系统设计

讨论了适用于PAL电视制式的转镜-振镜结构激光扫描系统,计算了转镜的面数和转速、反射面长度间的关系.重点讨论了反射面的长度对入射光束直径的限制,以及转镜的面数对扫描画面曝光量的影响.结果表明,在面数为40,半径为40mm的情况下,光束直径最大不得超过0 81mm;转镜面数越多,画面曝光量越均匀.     

铜铟镓硒纳米颗粒制备技术的研究进展

介绍铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2,CIGS)薄膜太阳能电池结构及其吸收层制备技术的最新研究成果.指出非真空印刷法制备具有速度快、成本低且能实现连续大规模生产的优点,粒子尺寸小且均匀的CIGS纳米晶体的合成技术是非真空印刷法制备CIGS薄膜的关键.评述CIGS纳米颗粒的合成技术中常用的低温凝胶法、微波法、溶剂热法、热注入法、气体还原法和化学沉积法的研究进展,分析各种方法的优缺点,对深入研究CIGS纳米颗粒的合成提出了建议.     

LD端面泵浦薄片式Yb:YAG激光器研究

利用光纤耦合InGaAs半导体激光器作抽运源,研制一台端面泵浦薄片式全固态Yb：YAG激光器.使用掺杂浓度为6%的Yb：YAG晶体,在泵浦功率20 W时,基于平-凹腔获得2.6 W的TEM00模1 030 nm连续激光输出,光束发散角为10 mrad,阈值为3.2 W,光光转换效率为13%,斜效率为18.6%.