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为了研究抛光工艺参数(抛光压力、抛光台转速、抛光液流量)对精细雾化抛光TFT-LCD玻璃基板的影响,实现对玻璃基板的高效、高质量加工,采用正交试验方法对玻璃基板进行雾化抛光,以材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Ra)为评价指标,根据实验结果得到最优的工艺参数组合,并将传统抛光和雾化抛光进行了对比。结果表明:当压力为0.055 MPa,抛光台转速为65r/min,抛光液流量为8.3mL/min时,雾化抛光的材料去除率为219nm/min,表面粗糙度Ra为1.1nm,光学透过率≥92.6%。在相同的试验条件下,传统抛光的去除率和表面粗糙度分别为335nm/min和1.2nm,两种方法的抛光效果相近,但雾化方法抛光液用量仅为传统的1/10。 相似文献
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精细雾化抛光TFT-LCD玻璃基板的抛光液研制 总被引：2，自引：0，他引：2
以混合磨料氧化铈和氧化硅、pH调节剂羟乙基乙二胺、表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮为原料配制抛光液,通过对TFT-LCD玻璃基板进行超声波精细雾化化学机械抛光的正交试验研究,优化了抛光液的成分,并对传统抛光和雾化抛光进行了对比。结果表明:当氧化铈和氧化硅的质量分数分别为4%和10%、pH值为11、表面活性剂的质量分数为1.5%时,材料去除率MRR为215nm/min,表面粗糙度Ra为1.6nm。在相同的试验条件下,传统抛光的去除率和表面粗糙度分别为304nm/min和1.5nm;虽然雾化抛光去除率略低于传统抛光,但抛光液用量仅为传统的1/8。 相似文献
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