浅析工程陶瓷的高效磨削技术

陶瓷具有高硬度和高脆性,机械加工后易产生各种类型的表面或亚表面损伤,导致陶瓷零件强度降低。为保持陶瓷零件表面完整性和尺寸精度,降低加工成本,本文从陶瓷磨削机理,浅析不同磨削工艺条件下选择合理的磨削参数以达到陶瓷高效磨削,介绍高速超高速磨削、深切缓进给磨削、ELID在线修整磨削等几种工程陶瓷的高效磨削加工技术及特点。     

基于DSP的软开关点焊逆变电源控制系统硬件设计

提出了以TNS320LF2407为基础的软开关点焊逆变电源智能控制系统的设计方法，着重阐述了硬件电路的设计原则、思想以及器件选型，并进行了联机调试。可以实现对4路IGBT管的PWM驱动信号的时序控制，软、硬件设计满足IGBT软开关功能，具有良好的系统自调整功能。     

热电池阳极材料Li-B合金制备工艺的研究

Li-B合金是一种性能优良的热电池用阳极材料，由于合成制备困难制约了它的应用。本文通过对合成过程中气氛、搅拌、温度控制、后处理等工艺进行有效改进，获得了300g/炉的制备规模，得出了本实验条件下制备Li-B合金的最佳工艺，所制备出合金性能均匀致密，放电性能达到国内先进水平。     

浇注温度对Mg-10Sm合金凝固组织的影响

在不同浇注温度下浇注Mg-10Sm合金,研究了浇注温度对Mg-10Sm合金凝固组织的影响。结果表明,随着浇注温度的降低,试样外部粗大柱状树枝晶区逐渐缩小,浇注温度在700℃及以下,外部柱状晶区消失,转化为细小等轴晶;试样心部粗大树枝晶逐渐细化并转变为细小的等轴晶。二次枝晶间距随着浇注温度的降低逐渐减小。浇注温度对合金共晶相体积分数、共晶相分布以及共晶相形貌没有明显的影响。     

部分水解的聚醋酸乙烯酯对β-H模具性能的改善

在保持β-半水石膏(β-H)试件吸水性能的基础上,提高β-H试件的机械强度是石膏模具行业亟待解决的难题之一.以部分水解的聚醋酸乙烯酯(PHPVAc)为添加剂,考察了不同水解度的PHPVAc对β-H试件抗折强度、抗压强度和吸水率的影响,并初步探讨了PHPVAc对β-H水化进程的影响.研究发现,水解度为65％ ～ 99％的PHPVAc均能提高β-H试件的机械强度,但其吸水率有所降低.当PHPVAc的水解度为91％ ～99％时,可使β-H试件的抗折、抗压强度提高7％ ～8％,吸水率降低2％ ～3％;水解度为78％的PHPVAc (PHPVAc78)可使β-H试件在吸水率少量降低的同时,最大幅度地提高β-H试件的抗折强度和抗压强度;PHPVAc78掺量为0.05wt％的β-H试件的抗折、抗压强度分别较未添加大分子的石膏试件者提高了26％和4％,吸水率仅降低2％.此外,PHPVAc改性β-H的水化度和电导率实验的结果表明,PHPVAc可以加速β-H的水化进程.     

Li-B合金的制备及反应机制研究

通过对合成装置的温控、散热、搅拌桨叶片等进行有效改进,获得了300 g/炉的制备规模,制备出的合金性能均匀一致,其密度及抗拉强度分别为0.870 g/cm3,12.61 Mpa.同时,根据反应合成现象及XRD结果,分析了Li-B合金的反应机制及其动力学过程.     

激光立体成形Ti60-Ti2AlNb梯度材料的组织与相演变

采用激光立体成形技术制备了沿沉积方向成分渐变的立墙式Ti60-Ti2AlNb梯度材料,研究了沉积态Ti60-Ti2AlNb梯度材料的相与显微组织的演变规律.随Al和Nb含量的增加,梯度材料中呈现α+β→α+α'→α'→α+β→α+β/B2+α2→β/B2+α2→β/B2+α2+O→B2+O→B2的相演变趋势,α相在Ti60到Ti60-60%Ti2AlNb(质量分数)的成分范围内一直存在.梯度材料的硬度同样随着Al和Nb含量的增加而增加,并随着B2+O相的形成达到极大值,不过随着在Ti2AlNb端部全B2相的获得,硬度急剧降低.基于钛合金富Ti区非平衡相图,结合Al和Nb元素对α,α2,β/B2和O相稳定性的影响分析,及考虑激光立体成形所具有的反复回火/退火和热积累效应,对梯度材料在激光立体成形过程中呈现的相演化规律进行了解释.     

放射性硅酸锆放射机理及改性研究项目通过鉴定

2004年2月27日由宜兴出入境检验检疫局和江苏省陶瓷研究所有限公司共同承担的国家质量监督检验检疫总局项目“放射性硅酸锆放射机理及改性研究”(2002IK068)顺利通过鉴定。该项目在对硅酸锆放射性之影响因素及其机理进行系统研究的基础上,在国内首次提出了采用“P、Ti、F、Zr复合乳浊法”、“Na2SiO3溶胶—凝胶包裹法”、“强氧化剂吸收电子法”、“特种元素W、P屏蔽法”等关键技术降低硅酸锆放射性的改性方法;并形成了把关键改性成份与硅酸锆预先制备成“综合改性料”用于实际操作的独特工艺。以人工合成钛榍石形式引入TiO2,并通过Si…     

超日冕距离矩阵谱的刻画技术（英）

图的拓扑结构在化学分子结构中有重要的意义，并且图的各种矩阵都蕴含了图的拓扑结构信息．在本文中，我们根据距离谱的定义以及四类图形的构造特点，对四类双日冕图进行了距离谱的刻画，通过数学归纳法得到对应的距离矩阵．在此基础上，本文构建了分块矩阵（超日冕距离矩阵），根据矩阵特征值的唯一性，对超日冕距离矩阵进行特征值以及特征向量的求解，并验证了结论准确性及可靠性．进一步，当 $G$ 为完全图且 $G_{1}, G_{2}$ 为正则图时，研究了四类特殊的双日冕图 $G^{(S)}\circ\{G_{1},G_{2}\}$, $G^{(Q)}\circ\{G_{1},G_{2}\}$, $G^{(R)}\circ\{G_{1},G_{2}\}$, $G^{(T)}\circ\{G_{1},G_{2}\}$ 的距离谱．