全氘甲烷大气示踪剂测量技术

文章通过系统研究甲烷中痕量全氘甲烷的分析方法、分析条件和检测能力等,证明了脉冲进样四极质谱(QMS)法用于大气扩散实验中全氘甲烷的浓度测量是可行的。同时研究建立了痕量全氘甲烷脉冲进样QMS测量技术。在50 mL/min He流洗、分流比1∶100、电子倍增器检测、慢扫描和SIM模式测量条件下,对甲烷中CD4的最小检测量(体积分数)为5.1×10-9。结合天然甲烷与全氘甲烷同位素分离技术,对甲烷中CD4的最小检测量可达到5×10-10,对空气中CD4的探测下限约为8.5×10-15。研究表明:气相色谱-四极质谱(GC-QMS)法对CD4的探测下限约是脉冲进样QMS法的40倍。     

铁铝阻抗匹配靶的精密扩散连接

为了获得某些材料在在高压条件下的物态方程,制备了用于激光驱动状态方程实验的铁铝阻抗匹配靶,研究了铁铝薄膜的精密热扩散连接技术。以冷轧铁薄膜和超精密加工铝薄膜为原料,研究了热复合工艺条件对其表面形貌、结晶性能、连接界面等参数的影响。利用白光干涉共焦显微镜、X射线衍射仪、膜厚测量仪、扫描电镜等仪器对靶件的表面形貌、厚度、结晶特性、残余应力及界面成分分布等进行分析表征,掌握了相关参数的变化趋势。据此优化工艺参数,制备了高质量的铁-铝阻抗匹配靶。对成靶的测试结果显示,其表面粗糙度小于100nm、厚度一致性控制在100nm以内、界面扩散层厚度约为200nm,且未观测到显微缺陷,满足物理实验的具体要求。     

碳基吸附剂对氢同位素的吸附行为研究(Ⅱ)

研究了液氮温度下活性炭(AC)、碳分子筛(601)和碳纳米纤维(CNF)对H2、D2的吸附等温线,采用2种Langmuir模型对它们吸附H2、D2的等温线进行了理论计算.研究结果表明:在液氮温度下,3种碳基吸附剂对氢同位素的吸附等温线遵从Langmuir 单分子层吸附模型,符合按活性点分类的定点吸附机制;吸附等温线可用Langmuir 多项式理论模型进行准确计算.     

聚变燃料纯化用有支撑钯银合金选择渗氢膜的研制

采用脉冲电镀和多层镀膜技术制备了约８μｍ厚的ＰｄＡｇａｔ．％膜，底衬为φ５０的３１６不锈钢滤片。研究确定了组成单一均匀，结构稳定而且与基体结合牢固的有支撑钯银合金选择渗氢膜的热处理条件。对它的选择渗氢性能进行了考核。３５０℃时单位面积渗氢速率为商品ＰｄＡｇ２５ａｔ．％膜的９．１倍。含氦１５％的氢经过这种膜纯化后氦含量降为０．０３％，研究表明，有支撑钯银合金膜的渗氢性能和纯化效率均能满足我国聚变裂变     

LiH电子结构与光学性质的密度泛函计算

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法计算了LiH晶体的电子结构和光学性质,给出了电子态密度、介电函数、吸收系数、复数折射率等计算结果,并对计算结果进行了分析.介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等的峰值位置存在一一对应关系,这表明它们之间存在着内在的联系,与电子从价带到导带的跃迁吸收有关.

Abstract：

Electronic structure and optical properties of LiH crystal were investigated by using plane-wave ultra-soft pseudopotential method based on density functional theory. Electronic state density, dielectric function, absorption coefficient, and the complex reflectivity index of LiH crystal were calculated and analyzed. The peaks of the imaginary part of dielectric function, absorption spectra and complex reflectivity index of LiH crystal are corresponding with each other. Such results are related to the transition absorption of electrons from valence band to conduction band.     

硫酸-甲醇体系钨电解抛光的可行性研究

以硫酸-甲醇酸性体系作为电解液,对钨箔进行电解抛光研究.抛光后钨的表面均方根粗糙度和反射率的测试结果表明,该体系完全适用于金属钨的电化学抛光,对钨的阳极溶解行为进行了分析,讨论了溶液组成、槽电压、温度和搅拌速率对电抛光后钨表面粗糙度的影响.初步确定了金属钨电解抛光的工艺参数为:硫酸与甲醇的体积比1:7,槽电压15～22V,温度15～25℃,搅拌速率10m/s.     

纯钛微台阶精密连接技术

纯Ti微台阶为ICF研究中重要的基础靶型,由于物理实验的高度精密性,传统加工方法不能满足靶制备需求。研究了纯Ti微台阶的精密扩散焊接技术,获得高质量的标准台阶,其表面粗糙度Rq<100 nm、厚度一致性<100 nm、界面连续无显微缺陷、晶体结构均匀,未检测出杂质。     

冲击波平面性、稳定性实验用双边多台阶Al靶制备

多台阶靶是冲击波稳定性、平面性实验的重要实验用靶。本工作采用单点金刚石切削技术,优化工艺过程设计,完成了铝双边多台阶靶的制备。应用Veeco NT1100白光干涉仪对表面轮廓及粗糙度进行了测量。通过SPDT技术制备的具有微细双边结构的多台阶靶可满足实验要求。各台阶表面几何厚度误差小于1%,均方根粗糙度Rq小于50 nm,轮廓最大高度Tir仅在底部台阶处最大,约200 nm,其余台阶处均小于100 nm,台阶垂直度在90°±1°内。     

磁控溅射制备金属铀膜

研究了通过磁控溅射方法制备高纯金属铀膜的可行性。采用X射线衍射（XRD）、俄歇电子能谱（AES）、扫描电镜（SEM）、表面轮廓仪分析了沉积在单晶硅或金基材上铀薄膜的微观结构、成分、界面结构及厚度、表面形貌和表面粗糙度。分析结果表明：磁控溅射制备的铀薄膜为纯金属态,氧含量和其它杂质含量均低于俄歇电子能谱仪的探测下限;溅射沉积的铀镀层与铝镀层之间存在界面作用,两者相互扩散并形成合金相,扩散层厚度约为10nm。铀薄膜厚度可达微米级,表面光洁,均方根（RMS）粗糙度优于15nm。     

单点金刚石切削技术在EOS靶制备中的应用

针对激光状态方程(Equation of state,EOS)实验对靶的高精度、表面高质量、材料密度达到或接近理论密度的需求以及金刚石切削技术不改变原材料密度、加工精度高、粗糙度小的特点,阐述了单点金刚石切削技术(SPDT)在EOS靶制备中的应用情况,包括铝、铜等金属薄膜零件制备、多种结构整体式台阶靶制备、整体式楔形靶...