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1.
Pechini法制备的CeO2纳米晶的晶化动力学 总被引:3,自引:1,他引:3
通过Pechini法制备CeO2粉末.XRD分析表明,该粉末在300℃下煅烧1 h后成为纳米晶体.用DT-40热分析仪研究其晶化过程,在热分析过程中,CeO2的晶化过程符合Kissinger方程,计算得到其相变激活能为86.42 kJ/mol,且其晶化过程所需能量比固相法的晶化过程所需能量显著降低.根据Qzawa方程得到,在250℃下Avrami指数n为1.5,频率因子为1.75×108.并由此推断该反应机理的形核过程为长程扩散控制型生长(初期阶段),从小尺寸开始的各种形状的生长形核率随时间下降. 相似文献
2.
用Pechini工艺制备了PdO 纳米粉末.对粉末进行了 DTA、TG 等热分析,利用 XRD 微结构数据对粉末的成分及其长大行为进行了分析研究 .研究结果表明,当热处理温度低于500 ℃时 ,PdO粉末粒径增长迅速 ,而热处理温度高于 500 ℃时 ,粉末生长缓慢.运用相变理论计算了两个阶段的晶粒长大激活能,表明低温区粒子生长激活能比高温区(500 ℃以上) 高出几倍. 相似文献
3.
采用热分解法在270℃制备钛基RuO_2-TiO_2氧化物涂层电极材料。利用循环伏安、电化学阻抗谱等方法研究Ti/RuO_2-TiO_2电极分别在0.5 mol/L H_2SO_4、0.5 mol/L Na_2SO_4和1.0 mol/L NaOH电解液中的超电容行为。结果表明:在酸性溶液和碱性溶液中Ti/RuO_2-TiO_2电极有较低的电荷转移电阻和优异的赝电容特性,比电容分别达到550 F/g和578 F/g;而在Na_2SO_4溶液中,该电极的电荷转移电阻较高,表现为典型的双电层电容特征,比电容仅为335 F/g;经历2000次循环充放电测试后,该电极在中性Na_2SO_4溶液中的稳定性最高,荷电能力仅下降3%;在酸性H_2SO_4溶液和碱性NaOH溶液中,该电极的荷电能力分别下降17%和29%。结合SEM和能谱分析可知:RuO_2-TiO_2在Na_2SO_4溶液中几乎不发生腐蚀,表现出良好的循环稳定性;RuO_2-TiO_2涂层在NaOH溶液中发生严重的面腐蚀,而在H_2SO_4溶液中则发生严重的点蚀,导致活性氧化物减少,荷电能力下降。 相似文献
4.
采用热分解法在Ti基上被覆了IrO_2+ZrO_2氧化物涂层。通过XRD、SEM、EDX、XPS和循环伏安法等分析了退火温度对IrO_2-ZrO_2二元氧化物涂层的物相、表面形貌和电容性能的影响,引用非线性方程q~*(v)=A_1exp~(-v/t_1)+A_2exp~(-v/t_2)+y_0计算了涂层的内外活性点。结果表明:IrO_2-ZrO_2涂层的临界晶化温度为340~360℃,340℃退火的涂层物相为非晶结构,360℃退火,含有晶态和非晶态2种结构组织,其离子价态为Ir~(3+)、Ir~(4+)以及过饱和IrO_(2+x)(x0)。电容性能随着温度的升高呈先增大后减小变化,360℃退火的电极有最大的电容值,与其"非晶态/晶态"两相共存组织结构有关。涂层中质子迁移能力比电子导电能力对电容的影响要大,扫描速度对质子迁移的影响大于对电子导电的影响。 相似文献
7.
通过宏观拍照、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、热重(TG)分析和扫描电子显微镜(SEM)等方法详细分析了福建省沿海某区域雷击烧蚀的部分失效样品,使用有限元分析方法分析了绝缘子负荷侧的受力情况。结果表明,失效样品主要表现出断链,氧化老化较少。炭黑量过多会使绝缘层过早失效。绝缘子负荷侧存在最大的应力和应力变形,使得设计上"先天不足"架空绝缘导线在电弧电流产生的堆积热量和应力作用下力学性能降低,产生大量裂纹。绝缘材料本身避免"绝缘薄弱处"是从根本上真正提高架空绝缘导线寿命的关键。 相似文献
8.
通过热分解法在Ti基体上制备了不同Sn含量的IrO2-SnO2涂层。采用循环伏安(CV),恒流充放电和透射电镜(TEM)等测试方法分析了涂层的电容性能和组织结构的关系。结果表明,所制备的IrO2-SnO2涂层电极的比电容随Sn含量的增加呈先增后减的变化,电极材料的可逆性和快速充放电性能逐渐得到改善。在Sn含量为70mol%时,有最大的比电容值485.07F/g。该涂层以非晶态结构为主,其中含有尺寸分布均匀,大小约1nm的微晶,增大了活性点的面积,比纯IrO2电极的比电容提高了7.5倍。 相似文献
9.
10.
摘要:采用低温热分解法制备了Ti基IrO2-Ta2O5氧化物涂层电极。通过X射线衍射(XRD),循环伏安曲线,交流阻抗谱,恒流充放电等测试方法分析了Ta含量对IrO2-Ta2O5氧化物涂层组织结构及电容性能的影响。结果表明,Ta2O5可抑制IrO2的晶化程度。随涂层中Ta含量增加,晶化度降低。当Ta含量为60mol%时,IrO2-Ta2O5电极的结晶度为6.4%,具有较小的电荷转移电阻和最高的比电容(239.2F/g),比IrO2电极比电容(54.1F/g)提高了近4倍。 相似文献