Mo-Si-B系原位复合材料的研究

Mo-Si-B系原位复合材料是一族新型的高温结构材料,目前的研究主要集中在其中的α-Mo Mo3Si Mo 5SiB2(T2)、Mo 5Si3Bx(T1) Mo3Si Mo5SiB2(T2)和Mo5Si3Bx(T1) MoSi2 MoB 3个体系.详细介绍了Mo-Si-B系原位复合材料的研究进展及应用前景,并在此基础上提出了进一步研究的重点和方向.     

高纯MoSi2粉体的高温自蔓延燃烧合成

以Mo粉和Si粉为原料,以NH4Cl为添加剂,通过自蔓延高温燃烧合成(SHS)的方法制备了高纯度的MoSi2材料.化学分析、荧光半定量分析和感应耦合等离子光谱仪(ICP-AES)分析结果表明,添加剂NH4Cl的加入能够对自蔓延燃烧合成的MoSi2粉体起到明显的净化效果.并通过XRD和SEM对燃烧合成产物的物相组成和形貌进行了分析,发现NH4Cl的加入对合成产物的物相组成没有明显影响,但可以大大降低合成产物的晶粒尺寸和团聚程度.     

国内二硅化钼发热元件的生产工艺及研究现状

简要介绍了国内二硅化钼发热元件的生产工艺及其研究现状,指出影响发热元件品质的关键因素是原料纯度和粒度、混料工艺以及烧结工艺。认为国内相关生产企业存在的普遍问题是对原料质量没有严格控制,混料工艺落后和烧结工艺不合适,并在此基础上提出了国内二硅化钼行业存在的缺乏深入研究工艺细节、规范生产工艺和升级生产设备等亟待解决的问题。     

氧化铝陶瓷低温烧结技术的探讨

通过对氧化铝陶瓷烧结机理、配方体系、原料加工、添加剂等影响烧结温度的素因分析,探讨氧化铝陶瓷低温烧结技术。     

Mo(Si,Al)2的自蔓延高温燃烧合成

研究了Mo(Si，Al)2的自蔓延高温燃烧合成反应过程以及产物的生成机制。研究结果表明：Al部分取代MoSi2结构中的Si，不但对反应体系的热效应有影响，同时还对燃烧波前端的蔓延速度、反应体系的燃烧模式以及产物的结构有影响。这可以从Mo-Si-Al系自蔓延合成过程中反应体系的传质传热过程的改变得到较好的解释。Mo(Si，Al)2的自蔓延燃烧合成机制与MoSi2相同，都是经过溶解析出过程直接由反应物得到产物。     

原位合成MoSi2反应烧结SiC-MoSi2复合材料

将Mo粉和Si粉按12的摩尔比,在聚乙烯球磨罐中球磨混合4 h,然后与SiC粉按不同的比例配料,加入少量的Al2O3微粉和活性炭粉,再共磨混合24 h;然后在20 MPa的压力下压制成型,在1650℃下、氮气气氛中烧结,保温1 h后自然冷却至室温.采用XRD、SEM和EDAX等手段对反应产物的物相组成、组织结构和微区成分进行了分析,结果表明原位合成MoSi2反应烧结SiC-MoSi2复合材料由SiC、MoSi2以及少量的残余硅组成;其显微组织结构疏松,颗粒堆积呈蜂窝状.根据实验结果,讨论了复合材料显微结构的形成机制,并着重对MoSi2颗粒聚集区中的空心粒子及其周围分散的小气孔的形成机制进行了阐述.     

La2O3掺杂MoSi2的SHS合成及其性能研究

以Mo粉、Si粉和La2O3为原料,通过自蔓延高温燃烧合成(SHS)的方法制备了La2O3掺杂的MoSi2材料．研究表明,掺杂剂La2O3的加入对MoSi2燃烧合成过程的热力学和动力学具有明显的影响．并通过XRD和SEM对燃烧合成产物的物相组成和形貌进行了分析,发现La2O3的加入对合成产物的物相组成没有明显影响,但可以大大降低合成产物的晶粒尺寸．同时,力学性能研究结果表明,La2O3的加入可以提高MoSi2材料的室温断裂韧性．     

自蔓延制备高纯二硅化钼粉体

研究了利用化学炉自蔓延合成方法合成高纯二硅化钼粉体,以点燃的C和Ti粉混合物为化学炉,以NH4C1作为添加剂,成功的合成出高纯二硅化钼粉体.所得合成产物经XRD、XRF和SEM分析结果表明,添加有NH4C1的化学炉方法自蔓延合成出的二硅化钼粉体较常规自蔓延合成方法合成出的粉体,纯度高、杂质含量少,且粒度细、均匀.     

二硅化钼合金化及掺杂改性的研究进展

介绍了二硅化钼合金化及掺杂改性的研究进展，对几种重要合金化元素和掺杂元素改性的二硅化钼材料进行了评述，并在此基础上提出了高性能二硅化钼材料研究开发的重点和方向。     

自蔓延高温燃烧合成MoSi2

以Mo粉和Si粉为原料,通过自蔓延高温燃烧合成(SHS)的方法成功地制备了MoSi2材料.研究了反应物原料粒度、反应物料坯相对密度、反应物预热温度、稀释剂加入量以及反应气氛对MoSi2燃烧合成的影响.并通过XRD和SEM对燃烧合成产物的物相组成和形貌进行了分析.