利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化

利用现场水汽生成(in-situ steam generation,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化.实验数据表明,ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动(最大值与最小值之差)从0.76nm降到了0.16nm,49点厚度值的标准偏差从0.25nm降到了0.04nm.同时,薄膜的隧穿场强增加到4.3MV/cm,硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好.实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路,对实际生产具有重要意义.     

关于计算机办公自动化网络构建的探究

随着社会的发展与进步,计算机逐渐在办公生活中得到了普及,网络的覆盖区域也越来越广,给我们带来的极大地方便。现如今,网络、计算机等办公软件在人们的办公中得到了广泛地运用,很大程度上提高了办公的质量与效率。现如今,计算机办公主要有企业内部文档管理、企业信息处理和发布、企业财务信息管理以及企业内部人事管理四种形式。本文介绍了计算机办公自动化网络的构建以及构建过程中出现的问题,并提出一些改进措施,让其更广泛、更普遍、更有价值地在办公领域中应用。     

WSix沉积前清洗中一种失效现象及改进方法

研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体.这样的晶体在Si片表面不容易被检测到,却可以很大程度地影响芯片的良率.本系统观测了这一现象,解释了这种失效的机制,并且给出这种失效模式的解决方案.     

高速钢／结构钢双金属复合材料界面研究

采用镶铸法,以液固结合的方式制备了高碳钡系高速钢/结构钢双金属复合材料。研究了不同结合条件下,双金属复合材料界面结构及形态。试验结果表明,镶铸是靠外层合金带入的过热热量来获得界面结合的,当外材与芯材在体积比大于8.0的条件下,才有可以获得界面结合,其界面结合为扩散结合,复合材料界面结构由芯材扩散层,激冷凝固层、方向性生长层和胞状晶粒层组成,外层材料凝固时有明显的方向性生长,其液固相线推移速度对在液固结合条件下外层材料的凝固组织具有明显影响,当外材与芯材体积比为1.25时,外层材料的凝固速度最快,出现了棒状伪共晶组织,随体积比的增长,凝固组织表现为沿径向传热方向拉长的胞状晶粒。     

利用ISSG退火技术实现沉积二氧化硅薄膜平坦化

利用现场水汽生成(in-situ steam generation,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉积二氧化硅薄膜的平坦化.实验数据表明,ISSG退火补偿生长后整个晶圆表面的薄膜厚度波动(最大值与最小值之差)从0.76nm降到了0.16nm,49点厚度值的标准偏差从0.25nm降到了0.04nm.同时,薄膜的隧穿场强增加到4.3MV/cm,硅氧界面与传统的氧气快速退火工艺相比更为良好.实验结果为二氧化硅薄膜平坦化提供了新的思路,对实际生产具有重要意义.     

利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性

利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理.由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善.这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路.