热处理对铜基无银电接触材料微观组织与结构的影响

探讨了固溶、时效热处理工艺对一种新型铜基电接触材料微观组织与结构的影响.结果表明,合金在固溶过程中形成Cu-Ni单相同溶体,在时效过程中产生Ni3Ti合金相,从而导致合金显微组织与结构的变化,提高材料的综合性能,获得一种高强、高导的电接触材料,满足实际生产的需求.     

位错的统计力学以及位错引起晶体的熔化理论

在位错对详细讨论的基础上建立一个晶体熔化的理论模型。该理论预测一级相变并得出晶体熔化温度的上限。引起面心立方结构和体心立方结构熔化的位错类型是不同的,前者是偏位错引起,后者是全位错引起。计算出22种立方晶体的熔化温度接近实验得出的熔化温度。提出了偏位错熔化温度低,这应当是面心立方比体心立方熔化温度低的原因之一。     

铜-钨复合镀层电沉积工艺及其性能

采用复合电沉积的方法,通过在镀铜液中加入直径为1～3μm的钨颗粒,在纯铜表面制备了铜_钨复合镀层.研究了镀液中钨质量浓度、阴极电流密度.搅拌速率、镀液温度等工艺参数对镀层中钨质量分数的影响,测定了复合镀层的显微硬度和接触电阻.得到了复合电沉积的最优工艺为:钨质量浓度35 g/L,电流密度4 A/dm2,搅拌强度600 r/min,温度5℃.所得铜-钨复合镀层具有合适的显微硬度(98.5～112.0 Hv)、稳定且较低的接触电阻及较长的电接触寿命,可以取代AgCdO触头.     

薄膜材料刃位错的求解

以弹性力学的平面应力模型求解了材料的刃位错,论证了此解可描述薄膜材料的位错。与体相的位错结果比较表明,薄膜材料的位错具有较低的应力和较低的弹性能。将本文的结果应用于位错引起薄膜熔化理论,得到了薄膜的熔点低于体相的熔点。将薄膜中存在位错情况与材料表面情况进行类比,得出材料表面的熔点也将低于体相的熔点。     

Cu-W复合电沉积工艺和镀层电弧侵蚀性能研究

在纯铜表面利用复合电沉积的方法形成Cu-W复合镀层,使其满足电触头材料使用性能.研究了镀液中W的质量浓度、阴极电流密度、搅拌强度和温度工艺参数对Cu-W复合镀层中微粒含量的影响,并对Cu-W电接触材料的电弧侵蚀性能进行了分析.结果表明:在最佳的复合电沉积工艺下,Cu-W的复合沉积量质量分数在17%～23%;Cu-W电接触材料在电流<20A条件下,材料由阴极向阳极转移,电流>20A条件下,材料的转移方向相反;电弧侵蚀后Cu-W电接触材料的表面呈现凸起、凹坑和气孔等形貌特征.