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Translated from Atomnaya Énergiya, Vol. 66, No. 6, pp. 423–424, June, 1989.  相似文献   
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Methods of measuring the fundamental parameters of the low-frequency noise of semiconductor devices are considered and versions of instruments for monitoring the noise characteristics of microcircuits, discrete transistors and other semiconductor devices are suggested. __________ Translated from Izmeritel’naya Tekhnika, No. 12, pp. 46–49, December, 2006.  相似文献   
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