压印对正系统中标记图像几何畸变的校正

在综合分析了多种线性及非线性畸变后,建立了三次多项式图像系统畸变模型。采用基于控制点偏差目标函数最小优化法进行畸变模型的求解,并通过计算自标定偏差均方差与互标定偏差均方差对标定结果进行了评定。结果表明,模型求解误差为0.22 μm,通过校正标记图像几何畸变引入的定位误差由2.5 μm降低到0.25 μm,可实现压印对正系统中标记图像几何畸变的校正,实现精确定位。     

实验室标准物质管理方法的探讨

实验室中标准物质主要用于质量控制、仪器校核、实验室之间方法比对。标准物质规范化管理,需从台帐建立、核查参数、核查方法进行,这样才能更好地提高检测数据的准确和可靠性。     

石油产品中硫含量分析方法的测定探讨

简要论述了X射线荧光法测定石油产品中硫含量的简单原理、分析流程和实验结果,结果表明该方法不仅快速、简便,而且精密度较好。适用于测定包括原油、石脑油、馏分油、燃料油、渣油等样品的硫含量。应用X-荧光光谱法测定石油产品中硫含量结果与库仑法相比较,精密度更高,结果更准确,并且具有操作方便、速度快、重复性良好等优点。     

超声技术在半导体行业中应用探讨

晶片的洁净程度直接决定了晶片的价值,而晶片最前端工艺就是清洗。现代化超声技术的应用可让晶片更洁净。超声波清洗的功率、频率、尺寸、安装方式的选择都与晶片清洁程度有着密切关系。主要对超声波的原理和频率的选定进行了介绍。     

SAT与SST在半导体清洗工艺中的应用

针对芯片制造商对设备低投入高产出的要求,介绍了能将多种工艺集成在一起的工作台SAT（喷酸系统）与SST（喷雾溶剂系统）,详细介绍了其工作原理及特点,并与清洗机＋甩干机传统清洗及刻蚀方式进行了详细对比,根据厂商实际使用效果,可以看出这两种集成工作台可以有效降低成本,提高生产效率。     

湿法刻蚀及其均匀性技术探讨

湿法刻蚀是化学清洗方法之一,是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,具有对器件损伤小、设备简单等特点。本文介绍了湿法刻蚀工艺的原理、工艺过程以及应用,分析了影响湿法刻蚀均匀性的主要因素,并提出提高刻蚀均匀性的方法。     

半导体化学清洗沾污来源分析

随着半导体工艺的不断发展,其对设备颗粒度的要求越来越高,文章分析了沾污产生的原因及出处,并对各种沾污进行了分析,并指出了解决方向,在很大程度上指导了半导体生产和研发环境的建立及完善。     

全自动太阳能制绒设备的工艺浅谈

全自动太阳能制绒设备的工艺对电池片非常重要,通过与厂家合作研究所得的工艺数据为基础,对制绒设备的工艺进行简单总结,并针对工艺对设备进行不断的完善与改进。     

一种异型转子的模态分析

针对一种设备上所用单支撑转子,在Solidwork中建立三维模型,并导入patran中进行网格划分及属性定义,最后用Nastran计算了前十阶固有模态,并结合生产实验结果进行对比,结果表明,由该模型得到数据与实验结果基本一致,由此计算结果可获得该类转子的临界转速,并用于指导实际的生产设计过程。     

甩干设备中的颗粒度分析

甩干设备是半导体清洗工艺后的主要设备,阐述了甩干设备中颗粒产生的各种原因,并进行分析,提出了避免和减少颗粒的解决方案,降低甩干设备带来的颗粒污染.